评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法

摘要

本申请公开了一种评估掩膜版缺陷对器件制造影响程度的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括获取掩膜版上待评估缺陷以及十字标记的坐标；根据掩膜版上待评估缺陷的坐标和十字标记的坐标，计算待评估缺陷曝光至晶圆上的相对坐标；利用掩膜版和N个不同的曝光能量对同一块晶圆进行N次曝光；利用特征尺寸扫描电镜机台，根据待评估缺陷的相对坐标获取晶圆上的缺陷成像位置；检测缺陷成像位置是否形成缺陷图像；若检测到缺陷成像位置形成有缺陷图像，则获取缺陷图像的尺寸；根据缺陷图像的尺寸评估对器件制造的影响程度；解决了目前对掩膜版缺陷的评估需要增加生产成本，效率不高的问题；达到了节省生产成本，提高掩膜版缺陷的评估效率的效果。