公开/公告号CN112054103A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 美科米尚技术有限公司;
申请/专利号CN202010071777.2
申请日2020-01-21
分类号H01L33/36(20100101);H01L33/62(20100101);
代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;
代理人寿宁;张华辉
地址 萨摩亚阿庇亚市邮政信箱603号珩泰大楼
入库时间 2023-06-19 09:09:01
机译: 半导体芯片,其包括具有交叉耦合的晶体管配置的区域,该区域具有在形成导电结构的栅电极上的偏置电连接区域以及形成导电结构的栅电极的至少两个不同的内部延伸距离
机译: 车辆部件具有导电区域,该导电区域设置有用于接收和/或发射电磁辐射或形成电接地的天线结构。
机译: 场效应管用于组件的N型MOSFET具有导电区域,导电区域形成带有源极和漏极区的电端子并从栅极结构延伸,其中源极和漏极区包含金属材料