场效应晶体管及其制备方法、静态随机存储器、集成电路

摘要

本申请实施例提供了一种场效应晶体管及其制备方法、静态随机存储器、集成电路，涉及电学技术领域，可以解决漏电问题。该场效应晶体管包括半导体衬底、设置于所述半导体衬底上的掺杂层、有源层、以及绝缘层；所述掺杂层包括位于源区的第一掺杂部和位于漏区的第二掺杂部，所述第一掺杂部与所述第二掺杂部分设于所述有源层两侧、且与所述有源层直接接触；所述绝缘层设置于所述掺杂层的底面与所述半导体衬底之间。