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非型闪存深睡眠低静态功耗方法、电路、存储介质和终端

摘要

本发明公开了一种非型闪存深睡眠低静态功耗方法、电路、存储介质和终端,在原有逻辑电路的长通电源架构基础上,提出了对于除了响应退出深睡眠状态指令相应的NOR Flash接口电路、负责上电状态机的模块仍然保持使用常通电源电压,其余负责擦除编程的状态机的模块会使用可关断的电源电压;在芯片接收到进入深睡眠的指令后,由可关断电源域供电的模块将会被完全关断,这样就会完全消除了这些模块的漏电流,也就降低了深睡眠状态下的芯片的深睡眠电流;由于NOR Flash接口电路仍然使用常通的电源域,能保证芯片能够时刻响应用户的退出深睡眠状态的指令。

著录项

  • 公开/公告号CN111951866A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市芯天下技术有限公司;

    申请/专利号CN202011117308.6

  • 发明设计人 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧;

    申请日2020-10-19

  • 分类号G11C16/30(20060101);G06F1/3234(20190101);

  • 代理机构44377 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈志超;唐敏珊

  • 地址 518000 广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇第10栋1楼

  • 入库时间 2023-06-19 08:58:14

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