用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统

摘要

本发明涉及一种用于提供应力评估方案的膜质量检查方法和系统，所述应力评估方案用于检查自旋转移矩磁性随机存取存储器(STT‑MRAM)的磁性隧道结(MTJ)单元的膜质量，其中，双极性信号和包括单极性空穴(正极性)和单极性电子(负极性)的单极性信号被同时施加到同一MTJ单元，然后根据周期间隙的比较的结果，具有厚度约1nm的薄膜的质量可被检查。