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公开/公告号CN111883191A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽大学;
申请/专利号CN202010677211.4
发明设计人 蔺智挺;朱知勇;吴秀龙;彭春雨;卢文娟;黎轩;陈军宁;
申请日2020-07-14
分类号G11C11/40(20060101);G11C16/06(20060101);
代理机构11260 北京凯特来知识产权代理有限公司;
代理人郑立明;韩珂
地址 230601 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
入库时间 2023-06-19 08:47:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-03
授权
发明专利权授予
机译: 基于读充电(RRC)的过程变化容差10T SRAM单元
机译: 10T NVSRAM单元和单元操作
机译: 超低功耗,读取去耦差动写入,10T SRAM单元,具有更高的读取/写入噪声容限
机译:减少10T SRAM单元的解码器和读出放大器电路的功率
机译:分析不同SRAM单元拓扑和提高读取速度的10T SRAM单元设计
机译:基于四路交叉耦合,基于锁存器的10T和12T SRAM位单元设计,用于高度可靠的地面应用
机译:用于低功率电路的新型10T SRAM单元
机译:除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外,外围电路还具有重要意义。
机译:基于尼龙10t / 10i的聚(醚嵌段 - 酰胺)S新系列的合成表征和非等温结晶动力学
机译:基于单元和sOC技术的aLU亚微米级10T全加器的设计与实现
机译:用于太空飞行硬件的设计概念是否直接影响基于单元的单元结构和/或基于单元功能的仿真