DRAM氧化物电极、DRAM及其应用

摘要

一种DRAM氧化物电极、DRAM及其应用，该氧化物电极采用的材料包括RuOx、IrOx、PdOx、PtOx、AgOx、AuOx、Ga2O3中的任一种或多种组合。本发明针提出新的电极材料，包括高功函数的金属氧化物电极RuOx、IrOx、PdOx、PtOx、AgOx和AuOx，以及金属氧化物半导体Ga2O3；本发明氧化物电极与氧化物介电材料结合界面更好，可以减少缺陷和抑制低介电层的形成，进一步降低漏电和提高电容密度。