一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法

摘要

本发明公开了一种新型的氮化物异质结构材料异质界面缺陷修复方法，具体包括以下步骤：S1：向氮化物异质结构材料异质界面处引入阴离子；S2：使引入的阴离子占据非金属位且与相邻的Ga原子或In原子或Al原子结合形成化学键，以减少所述氮化物异质结构材料异质界面处的氮空位缺陷浓度；本技术方案中，利用上述方法可以有效降低氮化镓基材料界面处的界面态缺陷，改善氮化物光电子和微电子器件的界面载流子输运、光电转换效率和可靠性，以推动氮化物基光电子与微电子器件的推广应用。