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p型硅晶片中的Fe浓度测定方法和SPV测定装置

摘要

本发明提供了能够提高1×109/cm3以下的Fe浓度的测定精度的利用SPV法的p型硅晶片中的Fe浓度测定方法。本发明是一种p型硅晶片中的Fe浓度测定方法,其特征在于,在基于对p型硅晶片进行的利用SPV法的测定来求取该p型硅晶片中的Fe浓度时,所述测定在Na+、NH4+和K+的合计浓度为1.750μg/m3以下并且F‑、Cl‑、NO2‑、PO43‑、Br‑、NO3‑和SO42‑的合计浓度为0.552μg/m3以下的环境下进行。

著录项

  • 公开/公告号CN111771268A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN201880082908.8

  • 发明设计人 福岛伸弥;常森丈弘;

    申请日2018-10-02

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘茜璐;闫小龙

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 08:31:50

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