一种用于调控p-Si/n-ZnO薄膜异质结电学性能和光电输出的方法

摘要

一种用于调控p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结电学性能和光电输出的方法，涉及半导体异质结器件领域，包括悬臂梁式的应变机构，应变机构包括夹片结构和运动结构，p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件作为悬臂梁，运动结构包括压片器和运动电机，压片器可随运动电机移动，运动电机可以精确控制运动距离并实现锁定定位，运动电机控制所述压片器下压，造成悬臂梁的弯曲，悬臂梁的弯曲形变会等效一部分在p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件的厚度方向上，从而造成纵向压应变的产生，随着运动电机行程的变化，本发明制备高质量的p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件，并提供在压电电子学和压电光电子学框架内调控器件的电子学和光电子学性能方案，这在一定程度上拓宽了压电电子学和压电光电子学的应用范围。