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一种研究二维MAPbI4晶体结构和电子结构性质的方法

摘要

本发明公开了一种研究二维MAPbI4晶体结构和电子结构性质的方法,属于材料结构技术领域。该方法包括:步骤(1):对二维MAPbI4进行晶体结构和电子结构分析;步骤(2):将二维MAPbI4中的部分原子替换,进行晶体结构和电子结构分析;步骤(3):对二维MAPbI4的双层结构MA2Pb2I7进行晶体结构和电子结构分析。本发明中对二维MAPbI4进行晶体结构分析、将二维MAPbI4中的部分原子替换进行晶体结构分析、对二维MAPbI4的双层结构MA2Pb2I7进行晶体结构分析,以及将二维MAPbI4中的有机官能团替换,进行晶体结构分析,并将分析的数据进行对比,从而能够更加清楚的对二维MAPbI4的晶体结构和电子结构的性质有进一步的了解,使得二维MAPbI4在将来能够更好的利用到太阳能电池中,解决人力能源危机。

著录项

  • 公开/公告号CN111710370A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安九天孵化器科技有限公司;

    申请/专利号CN201911426795.1

  • 发明设计人 王九鑫;魏蒙蒙;何智恒;张昊晖;

    申请日2019-12-31

  • 分类号G16C20/20(20190101);H01L51/00(20060101);H01L51/42(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 710065 陕西省西安市高新区丈八街办高新三路8号橙仕空间10715

  • 入库时间 2023-06-19 08:22:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G16C20/20 专利申请号:2019114267951 申请公布日:20200925

    发明专利申请公布后的视为撤回

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