具有V族掺杂剂的光伏器件和半导体层以及用于形成该光伏器件和该半导体层的方法

摘要

光伏器件（100）能够包括吸收层（160）。吸收层（160）能够p型掺杂有V族掺杂剂并且能够具有大于4x1015cm‑3的V族掺杂剂的载流子浓度。吸收层（160）能够包括吸收层（160）的中心区域中的氧。吸收层（160）能够包括吸收层（160）的中心区域中的碱金属。用于载流子激活的方法能够包括在还原环境（220）中使吸收层（160）暴露于退火化合物。退火化合物（224）能够包括氯化镉和碱金属氯化物。