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公开/公告号CN111652362A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州大学;
申请/专利号CN202010501402.5
发明设计人 吴晨健;邢世威;
申请日2020-06-04
分类号G06N3/063(20060101);G06N3/04(20060101);
代理机构32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人殷海霞
地址 215000 江苏省苏州市吴中区石湖西路188号
入库时间 2023-06-19 08:14:27
机译: 基于神经元模型的神经形态突触记忆阵列的神经元外围电路
机译:基于180 nm技术的电压模式模拟神经元的基于脉冲宽度的CMOS子电路
机译:使用电阻突触装置和模拟CMOS神经元电路,基于STDP的无监督学习飙升神经网络
机译:可调神经元激活函数及其导数的电路设计
机译:基于CMOS OxRAM的神经元电路,带有用于航空航天应用的封闭布局晶体管
机译:规模化CMOS中基于子电路单元的高频模拟集成电路设计
机译:具有与二进制 - 忆阻 - 横杆神经网络的寄生电阻相关的非外膜效应校正的映像器-CMOS混合神经元电路
机译:28nm CmOs高能效混合CmOs-NEms LIF神经元电路 处理
机译:互补对称/金属氧化物半导体(CmOs)电路硬化。体积I.蓝宝石上硅(sOs)CmOs电路的制造和表征。