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溅镀靶材、溅镀靶材的制造方法、非晶质膜、非晶质膜的制造方法、结晶质膜及结晶质膜的制造方法

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本发明提供一种含有In、Ta及Ti且高密度的氧化物靶材。本发明的溅镀靶材为含有In、Ta及Ti的氧化物的靶材，且Ta及Ti的含量分别以原子比(at％)计，满足Ta/(In+Ta+Ti)＝0.08～0.45at％、及Ti/(In+Ta+Ti)＝0.03～1.25at％。

著录项

公开/公告号CN109072416A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人 JX金属株式会社;
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申请/专利号CN201780005231.3
发明设计人挂野崇;久家俊洋;
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申请日2017-12-04
分类号C23C14/34(20060101);C04B35/01(20060101);C04B35/64(20060101);C23C14/08(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 07:54:06

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-15

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20171204

实质审查的生效
2018-12-21

公开

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