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基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法

摘要

本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法,属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维位移吸收剂量深度分布的材料,并将其移吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布;对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分,确定各个区域中的材料种类和每种材料的厚度;然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度,确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量,最终计算得到结构中敏感部位的位移吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位位移吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的位移吸收剂量。

著录项

  • 公开/公告号CN108459338A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201810136600.9

  • 申请日2018-02-09

  • 分类号

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人杨立超

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 06:18:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-12

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G01T1/02 申请公布日:20180828 申请日:20180209

    发明专利申请公布后的撤回

  • 2018-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01T1/02 申请日:20180209

    实质审查的生效

  • 2018-08-28

    公开

    公开

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