公开/公告号CN108400134A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-14
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏能华微电子科技发展有限公司;
申请/专利号CN201810447225.X
申请日2018-05-11
分类号H01L25/18(20060101);H01L21/50(20060101);
代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人孙仿卫
地址 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园
入库时间 2023-06-19 06:33:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/18 申请日:20180511
实质审查的生效
2018-08-14
公开
公开
机译: III-V族复合半导体,肖特基势垒二极管,发光二极管,激光二极管的制造方法以及该III-V族复合半导体,肖特基障碍物二极管,激光二极管和制造方法的制造方法这些
机译: 带有端接的半导体组件,肖特基二极管的边缘端接和肖特基二极管的制造方法
机译: 半导体-具有至少一个齐纳二极管和至少一个肖特基二极管的组件并联连接至该半导体组件以及制造该半导体组件的方法-