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EDGE TERMINATION FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT, SCHOTTKY DIODE WITH AN END TERMINATION AND METHOD FOR PRODUCING A SCHOTTKY DIODE

机译:带有端接的半导体组件,肖特基二极管的边缘端接和肖特基二极管的制造方法

摘要

An edge termination for a semiconductor component comprising a semiconductor body (1) containing silicon carbide. The edge termination has at least one diode chain (11) that is insulated from the semiconductor body (1) and provided with a plurality of semiconductor layers (12) having a respectively alternating type of conductivity.
机译:用于半导体部件的边缘终端,其包括含有碳化硅的半导体本体(1)。边缘终端具有至少一个二极管链(11),该二极管链与半导体本体(1)绝缘并且设置有具有分别交替的导电类型的多个半导体层(12)。

著录项

  • 公开/公告号EP1064684A1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号EP20000904821

  • 发明设计人 PFIRSCH FRANK;RUPP ROLAND;

    申请日2000-01-03

  • 分类号H01L29/06;H01L29/872;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 01:16:20

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