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在存储单元堆叠体中具有变化的存储单元设计的竖直存储器

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摘要

描述了一种具有存储器的设备。所述存储器包括存储单元的竖直堆叠体，其中，所述竖直堆叠体的下部层处的第一存储节点具有与所述竖直堆叠体的较高层处的第二存储节点不同的结构设计。

公开/公告号CN108369947A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-03

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201680069131.2
发明设计人 R·J·科瓦尔;H·桑达;
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申请日2016-11-02
分类号H01L27/11582(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L21/3213(20060101);H01L27/11519(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/11526(20170101);H01L27/1157(20170101);G11C16/26(20060101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11565(20170101);G11C16/08(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝;王英
地址美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 06:32:41

1. 在存储单元堆叠体中具有变化的存储单元设计的竖直存储器 [P] . 中国专利： CN108369947A . 2018-08-03
2. 具有垂直信道存取晶体管及存储器平面的相变化存储单元 [P] . 中国专利： CN101894854A . 2010-11-24
3. Memory cell e.g. phase changing memory, for use in memory arrangement, has N-channel MOS transistors and read terminals, where cell is designed such that information stored in cell is detected by differential read operation [P] . 德国专利： DE102005029872A1 . 2007-04-19

机译：存储单元用于存储装置的相变存储器具有N沟道MOS晶体管和读取端子，其中存储单元设计为通过差分读取操作检测存储在存储单元中的信息
4. Scan path for designing sequential circuits with duplicate storage cells integrated in the scan path with or without inversion uses dependent storage cells [P] . 德国专利： DE10150930C1 . 2003-02-06

机译：用于设计具有重复存储单元的顺序电路的扫描路径，其中重复存储单元集成在具有或不具有反转的扫描路径中，使用依赖的存储单元
5. Magnetic random access memory with stacked memory cells having oppositely-directed hard-axis biasing [P] . 美国专利： US7285836B2 . 2007-10-23

机译：具有堆叠的存储单元的磁性随机存取存储器，该存储单元具有相反方向的硬轴偏置