公开/公告号CN108320775A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-24
原文格式PDF
申请/专利号CN201710037835.8
发明设计人 甘正浩;
申请日2017-01-18
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人高静
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2023-06-19 06:30:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/08 申请日:20170118
实质审查的生效
2018-07-24
公开
公开
机译: 半导体集成电路器件,包括:SRAM单元阵列和用于向设置在SRAM单元阵列外部区域上的SRAM单元的阱区域提供电压的布线层
机译: 包括交替布置的组合SRAM-ROM单元和SRAM单元的存储器件以及包括该存储器件的半导体器件
机译: 高性能,低泄漏SRAM器件以及将SRAM器件的一部分存储单元置于活动模式的方法