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基于电介质薄膜漏电特性的激光诱导损伤根源判定方法

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本发明涉及薄膜技术。本发明解决了目前针对薄膜损伤根源的判断需要通过激光烧蚀实验造成有损检测或目前采用理论分析过程判断薄膜损伤根源非常繁杂的问题，提供了一种基于电介质薄膜漏电特性的激光诱导损伤根源判定方法，其技术方案可概括为：在硅基底上模拟光学元件表面的薄膜，并制作金属电极构成MOS结构，对其输入电压，由低至高调节输入电压，检测并记录相应的漏电电流，计算出该薄膜的电场强度及漏电电流密度，拟合ln(J)与E

著录项

公开/公告号CN108318569A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-24

原文格式PDF
申请/专利权人四川大学;
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申请/专利号CN201810068938.5
发明设计人韩敬华;范卫星;冯国英;周寿桓;古琼琼;
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申请日2018-01-24
分类号
代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙);
代理人李凌峰
地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
入库时间 2023-06-19 06:00:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/61 申请日:20180124

实质审查的生效
2018-07-24

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