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具有该具有套环部分的接合电极的多级存储器堆叠结构及其制造方法

摘要

包括多个堆叠结构的三维存储器器件可以形成有接合区域电极,该接合区域电极是形成在位于靠近上堆叠结构与下堆叠结构之间的接口的接合区域处的电极。通过多个堆叠结构形成存储器堆叠结构。接合区域电极横向地环绕与不同的堆叠结构之间邻近的接口的存储器堆叠结构的一部分。接合区域电极包括具有厚度的层部分、和横向地环绕存储器堆叠结构并且具有比层部分的厚度大的垂直长度的套环部分。套环部分相对于层部分的垂直长度的增加的垂直长度提供对在位于靠近不同的堆叠结构之间的接口的存储器堆叠结构中的半导体沟道的一部分的增强的控制。

著录项

  • 公开/公告号CN108093656A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桑迪士克科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201680054810.2

  • 申请日2016-08-17

  • 分类号H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11575(20170101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邱军

  • 地址 美国得克萨斯州

  • 入库时间 2023-06-19 05:31:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/1157 申请日:20160817

    实质审查的生效

  • 2018-05-29

    公开

    公开

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