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含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法

摘要

本公开提供了一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法,该钙钛矿LED包含:CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层,其中X=Cl、Br或I;p型空穴传输层,沿第一方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上;透明导电阳极,形成于p型空穴传输层上;n型电子传输层,沿与第一方向相反的第二方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上;电子注入层,形成于n型电子传输层上;以及电极,形成于电子注入层上。进一步提供了该钙钛矿LED的制备方法。本公开有效降低了发光层表面的缺陷态密度,提升钙钛矿CH3NH3PbX3的光电性质和稳定性,实现电注入下载流子的高效率辐射复合。

著录项

  • 公开/公告号CN108091768A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201711266108.5

  • 申请日2017-12-04

  • 分类号H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/56(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人曹玲柱

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 05:29:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L51/50 申请公布日:20180529 申请日:20171204

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2018-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20171204

    实质审查的生效

  • 2018-05-29

    公开

    公开

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