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基于黑硅PN结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法

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摘要

一种基于黑硅PN结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法，属于半导体光电极制备方法及光解水反应装置。(1)在将普通的P型单晶或多晶硅片表面微纳米化形成黑硅后，经过低温低浓度源扩散工艺，将所得的黑硅片置于扩散炉中750‑800℃预热并通入流量为0.1‑0.2L/min(升每分钟)的O

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-29

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25B11/04 申请公布日:20180508 申请日:20171129

发明专利申请公布后的驳回
2018-06-01

实质审查的生效 IPC(主分类):C25B11/04 申请日:20171129

实质审查的生效
2018-05-08

公开

公开

1. 基于黑硅PN结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法 [P] . 中国专利： CN108004564A . 2018-05-08
2. 新型硅PN结光电二极管 [P] . 中国专利： CN1519956A . 2004-08-11
3. Integrated semiconductor circuit with photodiode - uses photodiode PN-junction and similar junction between zone and substrate for photocurrent generation [P] . 德国专利： DE2638895A1 . 1978-03-02

机译：具有光电二极管的集成半导体电路-使用光电二极管PN结以及区域和衬底之间的类似结来产生光电流
4. Solar photoelectric converter using silicon photodiode rod - has cylindrical PN:junction between cylindrical lens and reflector [P] . 法国专利： FR2327643A1 . 1977-05-06

机译：使用硅光电二极管杆的太阳能光电转换器-在圆柱透镜和反射镜之间具有圆柱PN：结
5. Semiconductor laser used as FM transmitter for optical communications - has charge-injection diode, and heating diode formed from simple pn junction with separate contacts form those used for carrying laser current [P] . 德国专利： DE4231177A1 . 1994-03-24

机译：半导体激光器用作光通信的FM发射器-具有电荷注入二极管和由简单的pn结形成的加热二极管，具有单独的触点，形成用于传输激光电流的触点