一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极及制备方法

摘要

本发明公开了一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极及制备方法，该光电阴极由下而上由GaAs衬底层、分布式布拉格反射镜结构的缓冲层、AlGaAs发射层以及Cs/O激活层组成；所述的分布式布拉格反射镜结构的缓冲层由10‑30对的Alx1Ga1‑x1As/Alx2Ga1‑x2As交叠层组成。本发明通过在缓冲层中引入分布式布拉格反射镜结构，通过设置Alx1Ga1‑x1As/Alx2Ga1‑x2As交叠层的厚度、层数以及Al组分值x1和x2，可降低532nm波长处的反射率，提高吸收率，最终提高532nm波长处的光电发射量子效率。