一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法

摘要

本发明涉及一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法，属于半导体纳米材料的制备技术领域。本发明首先配制一定参数的氢氟酸（HF）和硝酸银（AgNO3）混合溶液，接着超声混合溶液3～5min；将清洗好的硅片放入混合溶液中沉积Ag颗粒，然后将硅片置于一定参数的氢氟酸（HF）和双氧水（H2O2）混合溶液中，利用混合溶液与Ag颗粒及硅片形成原电池的原理，制备出长度可控的硅纳米线阵列。该方法具有低成本、工艺简单、生产效率高等特点，为制备硅纳米线太阳能电池提供了更简便的途径。