首页> 中国专利> 一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法

一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法

页面导航

摘要

一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌，影响薄膜成分和厚度均匀性，对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InCl

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-08

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0224 申请公布日:20171222 申请日:20170807

发明专利申请公布后的驳回
2018-01-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0224 申请日:20170807

实质审查的生效
2017-12-22

公开

公开

1. 一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN107507874A . 2017-12-22
2. 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法 [P] . 中国专利： CN102290484A . 2011-12-21
3. Ink for producing compound semiconductor thin film, compound semiconductor thin film produced using the ink, solar cell having compound semiconductor the thin film, and process for producing solar cell [P] . 美国专利： US9312409B2 . 2016-04-12

机译：用于制备化合物半导体薄膜的油墨，使用该油墨制备的化合物半导体薄膜，具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及太阳能电池的制备方法
4. - NOVEL ADDUCT COMPOUND METHODS FOR PURIFICATION AND PREPARATION OF FUSED POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND SOLUTION FOR FORMATION OF ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM AND NOVEL -DIKETONE COMPOUND [P] . 韩国专利： KR101604513B1 . 2016-03-17

机译： -用于纯化和制备熔融多环芳族化合物溶液的新型导电化合物，用于形成有机半导体薄膜和新型-二酮化合物
5. Composition for P-Typed Oxide Semiconductor Thin Film and Method for Preparing P-Typed Oxide Semiconductor Thin Film [P] . 韩国专利： KR101007618B1 . 2011-01-12

机译：用于p型氧化物半导体薄膜的组合物和制备p型氧化物半导体薄膜的方法