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一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法

摘要

本发明涉及一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法,属于低维半导体材料光电应用技术领域。本发明所设计的选择性光探测器由n个电极和类硫硒化镉纳米带构成;所述n大于等于3;所述类硫硒化镉纳米带的化学式为CdS

著录项

  • 公开/公告号CN107316908A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黄山博蓝特光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201710330199.8

  • 申请日2017-05-11

  • 分类号

  • 代理机构长沙市融智专利事务所;

  • 代理人颜勇

  • 地址 245000 安徽省黄山市屯溪区奕棋镇龙井路11号

  • 入库时间 2023-06-19 03:40:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-16

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L31/0296 申请公布日:20171103 申请日:20170511

    发明专利申请公布后的撤回

  • 2017-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0296 申请日:20170511

    实质审查的生效

  • 2017-11-03

    公开

    公开

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