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一种聚碳硅烷制备SiC基纳米复合陶瓷的方法及其应用

摘要

本发明公开了一种聚碳硅烷制备SiC基纳米复合陶瓷的方法及其应用。该方法是将纳米二氧化锆陶瓷粉末、纳米氧化铝粉末与聚碳硅烷真空密炼成型后将聚碳硅烷碳化后烧结得到SiC基纳米复合陶瓷。使用该工艺制备的SiC基纳米复合陶瓷解决了二氧化锆陶瓷与氧化铝陶瓷的抗弯强度高而断裂韧性不高的问题,并且该方法显著降低了SiC基体系陶瓷的烧结温度,对设备要求降低,制造成本下降,另外SiC陶瓷的密度较ZrO

著录项

  • 公开/公告号CN107056289A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201710141751.9

  • 发明设计人 周涛;沈同德;

    申请日2017-03-10

  • 分类号

  • 代理机构北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郭栋梁

  • 地址 226333 江苏省南通市通州湾江海联动开发示范区临港产业园通海大道、如港路交叉口东南侧

  • 入库时间 2023-06-19 03:02:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B35/486 申请公布日:20170818 申请日:20170310

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/486 申请日:20170310

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    公开

    公开

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