生长在硅衬底上的（100）高度择优取向的氮化钛薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种生长在硅衬底上的(100)高度择优取向的氮化钛薄膜及其制备方法。采用单面抛光基片作为衬底，将基片放置于旋转加热台面上，盖上真空腔盖，抽取本底真空，通入氮气和氩气，进行磁控溅射后，停止通入氮气和氩气，进行抽真空退火，然后关闭分子泵，待降温关闭机械泵，打开放气阀，待旋转加热台面温度降至常温时取出样品；进行磁控溅射时调整溅射薄膜时的温度、氮气氩气流量比例和总流量以及抽真空退火使得最终制成所述氮化钛薄膜，并通过控制溅射功率、工作电压和溅射时间控制薄膜的厚度。本发明的氮化钛薄膜拥有低电阻率和较好的化学稳定性和光学特性，适合作为底电极，也可应用在各类光电探测器中，方法工艺相对简单。