首页> 中国专利> 具有用于高速和低电压的双位存储的高密度ROM单元

具有用于高速和低电压的双位存储的高密度ROM单元

摘要

本发明公开一种ROM存储器,所述ROM存储器包括:第一位单元,所述第一位单元包括存储两个位的晶体管以及读取存储在所述位单元中的数据的第一位线和第二位线;第二位单元,所述第二位单元包括连接到所述第一晶体管并且共享所述第一位线与所述第二位线的第二晶体管;以及邻近所述位线的虚拟接地线,所述虚拟接地线被配置成使所述位单元接地。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C7/12 申请日:20170119

    实质审查的生效

  • 2017-08-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号