氧化物半导体TFT基板结构及氧化物半导体TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种氧化物半导体TFT基板结构及氧化物半导体TFT基板的制作方法。本发明的氧化物半导体TFT基板结构设置有保护层(5)，所述保护层(5)至少包括第一氧化硅薄膜层(51)、及覆盖所述第一氧化硅薄膜层(51)的氮化硅薄膜层(52)，氮化硅薄膜层(52)具有很好的致密性，使得所述保护层(5)隔绝水汽的能力提高，能够从TFT基板的上部隔绝水汽渗透，更好地保护氧化物半导体有源层(33)不受水汽侵入的影响，稳定氧化物半导体TFT(T)的电学特性。