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具有在不同金属层上的第一和第二读字线及写字线以及跨每个SRAM位单元的边界边缘拆分的相关联着陆焊盘的三端口SRAM位单元

摘要

公开了具有跨静态随机存取存储器(SRAM)位单元的边界边缘拆分的字线着陆焊盘(312(1),312(2),312(3))的SRAM位单元。在一个方面,公开了一种SRAM位单元,其采用第二金属层(M2)中的写字线(302)、第三金属层(M4)中的第一读字线(304)、以及第四金属层(M4)中的第二读字线(306)。采用在分开的金属层中的字线允许字线具有更宽的宽度,这会减小字线电阻,减少访问时间,并且增强SRAM位单元的性能。为了采用在分开的金属层中的字线,第一金属层中的多条迹线被采用。为了将读字线耦合至迹线以与SRAM位单元晶体管通信,着陆焊盘被布置在SRAM位单元的边界边缘之内和之外的相应迹线上。与写字线相对应的着陆焊盘被置于SRAM位单元的边界边缘内的相应迹线上。

著录项

  • 公开/公告号CN107004439A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580064156.9

  • 申请日2015-11-12

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人李小芳

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 02:55:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-26

    授权

    授权

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C8/14 申请日:20151112

    实质审查的生效

  • 2017-08-01

    公开

    公开

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