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用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球自聚焦透镜光纤阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于VSCEL或PIN阵列耦合的半球自聚焦透镜光纤阵列及其制造方法,通过基板加工、聚光体熔接、光纤组装和聚光体研磨等步骤制造出包括基板、盖板和多根光纤,基板包括基板前段和基板后段,基板前段上表面高于基板后段上表面,基板前段上表面上设有多个与多根光纤一一对应的V形槽,每根光纤均设置在与其对应的V形槽内,且每根光纤均从基板前段向前伸出后其端面上熔接有一段聚光体,盖板设置在基板前段上,且盖板与每个V形槽均围合成固定光纤的容置空间;聚光体包括与基板底面呈30°至60°夹角的光学平面和衔接光学平面与聚光体底面的弧形球面的半球自聚焦透镜光纤阵列。相比于现有技术,其具有光耦合效率高、成本低等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN106908915A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市鹏大光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201710084501.6

  • 发明设计人 钱福琦;刘鹤;周听飞;

    申请日2017-02-16

  • 分类号G02B6/42;

  • 代理机构深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周松强

  • 地址 518000 广东省深圳市坪山新区大工业区青松路56号友利通科技工业厂区B栋4楼

  • 入库时间 2023-06-19 02:44:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B6/42 申请公布日:20170630 申请日:20170216

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/42 申请日:20170216

    实质审查的生效

  • 2017-06-30

    公开

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