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一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法

摘要

本申请实施例提供一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法,在通过金属诱导非晶硅晶化方法将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜时,可以避免需单独制作金属隔离层,同时,也可以避免金属隔离层和金属层的去除工艺,降低将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜的制作成本,简化工艺制作。本申请实施例提供的薄膜晶体管中的多晶硅薄膜的制作方法,包括:在衬底基板上形成金属层;在所述金属层上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成非晶硅膜层;通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用,将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层,其中,所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。

著录项

  • 公开/公告号CN106876478A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201710172988.3

  • 发明设计人 刘军;苏同上;

    申请日2017-03-22

  • 分类号H01L29/786;H01L21/336;

  • 代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭润湘

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2023-06-19 02:37:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-15

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/786 申请公布日:20170620 申请日:20170322

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-07-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20170322

    实质审查的生效

  • 2017-06-20

    公开

    公开

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