法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-06
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/34 申请公布日:20161221 申请日:20161013
发明专利申请公布后的驳回
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/34 申请日:20161013
实质审查的生效
2016-12-21
公开
公开
机译: 具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
机译: 具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
机译: 具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件