首页> 中国专利> 碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法

摘要

本发明一实施方式中的碳化硅晶锭(1)包括分别含有供体或受体、且交替配置的多个第一结晶层(3)和多个第二结晶层(4),第二结晶层(4)中的供体或受体的浓度大于与其上部或下部相接的第一结晶层(3)中的供体或受体的浓度。

著录项

  • 公开/公告号CN105940149A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京瓷株式会社;

    申请/专利号CN201580006861.3

  • 申请日2015-02-27

  • 分类号C30B29/36;

  • 代理机构隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人李英艳

  • 地址 日本国京都府京都市

  • 入库时间 2023-06-19 00:31:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-26

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/36 申请公布日:20160914 申请日:20150227

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20150227

    实质审查的生效

  • 2016-09-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号