一种消除单晶棒氧施主效应对电阻率影响的热处理工艺

摘要

本发明公开了一种消除单晶棒氧施主效应对电阻率影响的热处理工艺，包括以下几个步骤：1)、将单晶棒编号；2)、将单晶棒擦拭洁净；3)、将单晶棒依次摆放在石英片上；4)、关闭炉门，经过3.5～4h炉内温度升至720℃；5)、在720℃内恒温1～1.5h后停炉；6)打开炉门20％自然冷却至480℃后炉门全部打开急速冷却；7)、急速冷却3小时后取出；8)、电阻率测试。本发明的热处理工艺，通过对单晶棒进行热处理可以使得单晶棒的氧施主回到间隙氧状态，消除氧施主对电阻率测试的影响，从而可以精确测量出单晶棒的真实电阻率，从而可以根据电阻率将单晶棒准确的应用到器件中，从根本上所得到的器件参数将完全偏离原有设定，造成严重的质量异常的问题。