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一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法，所述单晶具有与ZrCuSiAs相同的四方的晶体结构，起始超导转变温度为21K。本发明的制备方法采用CaAs做自助熔剂，通过缓慢降温结晶的方法制得基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，该方法得到的单晶具有1-2毫米的尺寸。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-09

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/52 申请公布日:20151028 申请日:20150722

发明专利申请公布后的驳回
2015-11-25

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/52 申请日:20150722

实质审查的生效
2015-10-28

公开

公开

1. 一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105002562A . 2015-10-28
2. 一种铁砷化合物高温超导体晶体及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101407340A . 2009-04-15
3. FORMATION OF SINGLE CRYSTAL THIN FILM OF OXIDE HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR AND SUBSTRATE FOR FORMATION OF SINGLE CRYSTAL THIN FILM OF OXIDE HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR AND ITS FORMATION [P] . 日本专利： JPH0656581A . 1994-03-01

机译：氧化物高温超导体的单晶薄膜的形成和形成的氧化物氧化物高温超导体的单晶薄膜的形成和形成的基质
4. Junction between a high temperature superconductor to a normal conductor comprises a high temperature superconducting body having metal layers connected to the end of a superconducting component [P] . 德国专利： DE19912080C1 . 2000-10-26

机译：高温超导体与普通导体之间的结点包括高温超导体，该高温超导体具有连接至超导组件末端的金属层
5. METHOD OF LITHIUM IRON ARSENIC SUPERCONDUCTOR PREPARATION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2014196965A1 . 2014-12-11

机译：锂铁砷超导体的制备方法