III-V族氮化物半导体外延结构、包含该外延结构的器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种III-V族氮化物半导体外延结构，其包括：(1)衬底；(2)外延缓冲层，其具有上表面及与所述衬底接触的下表面；(3)外延过渡层，其中所述外延过渡层覆盖外延缓冲层，并且该两层界面处具有微观空洞结构，所述微观空洞周期性或非周期性排列，以使两层的界面处仅部分相连，相连的部分和空洞部分在界面处间隔出现，所述外延过渡层具有平整的上表面；(4)外延有效层，位于所述外延过渡层的上表面上，所述外延有效层自下而上含有n型外延层、发光层与p型外延层。本发明还提供该外延结构的制造方法、包含该外延结构的器件及其制造方法。