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Cu-Ga合金粉末的制造方法和Cu-Ga合金粉末、以及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法和Cu-Ga合金溅射靶

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本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。

著录项

公开/公告号CN102844134A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-26

原文格式PDF
申请/专利权人住友金属矿山株式会社;
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申请/专利号CN201180018036.7
发明设计人森本敏夫;高桥辰也;安东勋雄;小向哲史;高木正德;佐藤惠理子;南浩尚;
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申请日2011-04-07
分类号B22F1/00;B22F1/02;B22F3/14;C22C9/00;C23C14/34;
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人崔香丹
地址日本东京
入库时间 2023-12-18 07:51:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-01

授权

授权
2013-03-27

实质审查的生效 IPC(主分类):B22F1/00 申请日:20110407

实质审查的生效
2012-12-26

公开

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