公开/公告号CN102623018A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-08-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201210094191.3
申请日2012-04-01
分类号G11B5/31;G11B5/39;
代理机构
代理人
地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2023-12-18 06:20:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-11
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11B5/31 申请公布日:20120801 申请日:20120401
发明专利申请公布后的驳回
2012-09-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G11B5/31 申请日:20120401
实质审查的生效
2012-08-01
公开
公开
机译: 存储器件的磁性隧道结器件,其上部结构具有磁性层,下部结构具有在磁性层和垂直磁化层上形成的外部垂直磁化结构
机译: 垂直磁性膜,适合于转换为垂直磁性膜的多层膜以及由所述多层膜生产垂直磁性膜的方法。
机译: 磁性多层装置,例如磁场传感器,具有带磁性元素的磁性金属层,因此在金属层和氧化物层的界面处垂直于层平面发生界面磁各向异性