法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-16
授权
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2012-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C09J7/02 申请日:20111118
实质审查的生效
2012-07-11
公开
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技术领域
本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜及切割带一体型半导体背面用薄膜。倒装芯片型半导体背面用薄膜用于半导体芯片等半导体元件的背面的保护以及强度提高等。另外，本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法及倒装芯片式安装的半导体装置。
背景技术
近年来，半导体装置及其封装要求进一步薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装，广泛使用通过倒装芯片式接合将半导体芯片等半导体元件安装到衬底上(倒装芯片式连接)的倒装芯片型半导体装置。该倒装芯片式连接以半导体芯片的电路面与衬底的电极形成面相对的形态进行固定。这样的半导体装置等中，有时利用保护薄膜保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等(例如，参考专利文献1～10)。
另外，近年来，为了应对半导体装置的微细化、高功能化的要求，在半导体元件的电路面的整个区域上配置的电源线的布线宽度或信号线间的间隔正在逐渐变窄。因此，阻抗增加、异构节点的信号线间产生信号干涉，在半导体芯片的操作速度、工作电压容限、耐静电击穿能力等方面，成为阻碍充分发挥性能的原因。
以往，为了解决上述问题，提出了层叠半导体的封装结构(例如，参考专利文献11和专利文献12)。
另一方面，伴随近年来的电子部件的多样化，从半导体芯片释放 的电磁波(噪声)的频域也变得多样，在如所所述的封装结构那样层叠半导体芯片的情况下，从一个半导体芯片释放的电磁波有可能会对另一个半导体芯片、衬底、相邻的器件、封装等产生不利影响。
在专利文献13中，公开了在由电绝缘层和铁氧体层构成的层叠体的最外的两个面上具有粘合层的半导体元件胶粘用电磁波屏蔽片。另外，专利文献3中，记载了利用该半导体元件胶粘用电磁波屏蔽片，通过铁氧体层的磁损耗特性而使电信号漏泄衰减。
另外，在专利文献14中，公开了在芯片焊盘与半导体芯片的背面之间配置有第一磁屏蔽材料，在所述半导体芯片的电路面上配置有第二磁屏蔽材料的半导体装置。另外，在专利文献4中，记载了所述半导体装置提高了对于外部磁场的耐受性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-166451号公报
专利文献2：日本特开2008-006386号公报
专利文献3：日本特开2007-261035号公报
专利文献4：日本特开2007-250970号公报
专利文献5：日本特开2007-158026号公报
专利文献6：日本特开2004-221169号公报
专利文献7：日本特开2004-214288号公报
专利文献8：日本特开2004-142430号公报
专利文献9：日本特开2004-072108号公报
专利文献10：日本特开2004-063551号公报
专利文献11：日本特开昭55-111151号公报
专利文献12：日本特开2002-261233号公报
专利文献13：日本专利第4133637号公报
专利文献14：日本特开2010-15760号公报
发明内容
但是，专利文献13的半导体元件胶粘用电磁波屏蔽片，设置在半导体元件与衬底之间，而不是设置到与半导体元件的衬底相反侧的面上。因此，不能减少从半导体元件的基板的相反侧的面释放的电磁波。
另外，专利文献14的半导体装置，通过在半导体晶片的背面粘贴具有胶粘性的第一薄膜材料，然后通过所述第一薄膜材料粘贴第一磁屏蔽材料，然后在所述第一磁屏蔽材料的背面粘贴具有胶粘性的第二薄膜材料的工序来制造。但是，这样的制造工序，与现有的半导体装置的制造相比，增加了粘贴第一磁屏蔽材料的工序和粘贴第二薄膜材料的工序，因此制造工序数增多，从而存在生产率不足的问题。
本发明人等为了解决所述的现有问题，对倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、以及倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法进行了研究。结果发现，通过采用以下的构成，可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不使生产率下降的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置，从而完成了本发明。
即，本发明的倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其特征在于，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。
倒装芯片型半导体背面用薄膜，粘贴到倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面。因此，根据所述构成，能够在倒装芯片型半导体装置所具有的半导体元件的背面(与被粘物相反侧的面)设置电磁波屏蔽层。结果，可以减少从半导体元件的背面(与被粘物相反侧的面)释放的电磁波对另一个半导体元件、衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。另外，本发明的倒装芯片型半导体背面用薄膜，具有胶粘剂 层和电磁波屏蔽层，将其粘贴到半导体元件的背面即可。即，无需在半导体元件的背面形成胶粘剂层、然后形成电磁波屏蔽层这样的多阶段工序，通过一阶段的工序就可以在半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层。结果，可以尽量抑制制造工序的扩大。
另外，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜，其中，在切割带上层叠有所述的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其特征在于，所述切割带具有在基材上层叠有粘合剂层的结构，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜层叠在所述切割带的粘合剂层上。
所述构成的切割带一体型半导体背面用薄膜中，切割带与倒装芯片型半导体背面用薄膜一体地形成，因此可以供给切割半导体晶片以制作半导体元件的切割工序或者此后的拾取工序。即，在切割工序前将切割带往半导体晶片背面粘贴时，也可以粘贴所述半导体背面用薄膜，因此无需仅粘贴半导体背面用薄膜的工序(半导体背面用薄膜粘贴工序)。结果，可以减少工序数。而且，半导体背面用薄膜保护半导体晶片、通过切割形成的半导体元件的背面，因此在切割工序或此后的工序(拾取工序等)中，可以减少或防止该半导体元件的损伤。结果，可以提高倒装芯片型半导体装置的制造成品率。
另外，本发明的倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法，用于制造所述的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其特征在于，包括以下步骤：形成胶粘剂层的步骤，和在所述胶粘剂层上形成电磁波屏蔽层的步骤。
通过所述构成制造的倒装芯片型半导体背面用薄膜，具有电磁波屏蔽层，因此在制造半导体装置时，无需追加形成电磁波屏蔽层的工序。即，无需在半导体元件的背面形成胶粘剂层、然后形成电磁波屏蔽层这样的多阶段工序，通过一阶段的工序就可以在半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层。结果，可以尽量抑制制造工序的扩大。
另外，本发明的半导体装置，为了解决所述问题，具有所述的倒装芯片型半导体背面用薄膜。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜的示意剖视图。
图2是表示本发明的另一个实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜的示意剖视图。
图3是表示本发明的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一例的示意剖视图。
图4是表示使用本发明的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法的一例的示意剖视图。
图5是表示实施例1的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
图6是表示实施例2的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
图7是表示实施例3的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
图8是表示实施例4的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
图9是表示实施例5的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
图10是表示实施例6的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
图11是表示比较例1的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
图12是表示比较例2的倒装芯片型半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)的测定结果的图线。
标号说明
1 切割带一体型半导体背面用薄膜
2 切割薄膜
21 基材
22 粘合剂层
23 与半导体晶片的粘贴部分对应的部分
40、41 半导体背面用薄膜(倒装芯片型半导体背面用薄膜)
4 半导体晶片
5 半导体芯片
51 在半导体芯片5的电路面一侧形成的凸块
6 被粘物
61 被粘到被粘物6的连接焊盘上的接合用导电材料
具体实施方式
(倒装芯片型半导体背面用薄膜)
首先，以下对于本发明的一个实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜(以下有时称为“半导体背面用薄膜”)进行说明。图1是表示本发明的一个实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜的示意剖视图，图2是表示另一个实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜的示意剖视图。如图1所示，半导体背面用薄膜40具有在胶粘剂层30上层叠有电磁波屏蔽层31的构成。另外，本发明的半导体背面用薄膜，如图2所示的半导体背面用薄膜41所示，可以具有在电磁波屏蔽层31上进一步层叠有胶粘剂层32的构成。另外，本发明的半导体背面用薄膜，如果具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，则不限于半导体背面用薄膜40、半导体背面用薄膜41，也可以是例如具有除胶粘剂层和电磁波屏蔽层以外的其它层的半导体背面用薄膜。
作为电磁波屏蔽层31，可以列举导电层、电介质电介质层、磁性体层。作为所述导电层，可以列举具有无机导电材料或有机导电材料的层。作为前述无机导电材料，可以列举选自由Li、Na、K、Rb、Cs、 Ca、Sr、Ba、Ra、Be、Mg、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ti、Zr、Sn、Hf、Pb、Th、Fe、Co、N、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、U、Mn、Re、Cu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt构成的组中的至少一种以上金属元素、所述金属元素的氧化物、所述金属元素的合金等。作为前述有机导电材料，可以列举聚乙炔、聚对亚苯基、聚苯胺、聚噻吩、聚对亚苯基亚乙烯基、聚吡咯等。所述有机导电材料可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，可以将所述无机导电材料与所述有机导电材料组合使用。所述导电层可以是仅由金属箔或蒸镀膜这样的导电材料构成的层，也可以是所述无机导电材料或有机导电材料配合到树脂中形成的层。所述导电层中，优选电导率在10×101～10×107S/m范围内的导电层，更优选电导率在5×102～5×107S/m范围内的导电层，特别优选电导率在10×102～1×107S/m范围内的导电层。对于所述导电层而言，可以通过反射损耗使电磁波衰减。金属箔是指由所述无机导电材料制成的材料，例如，是指将所述无机导电材料变薄(例如到约0.1μm～约100μm)拉伸而制造的材料。
作为所述电介质层中使用的材料，没有特别限制，可以列举聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、聚氯乙烯、环氧树脂等合成树脂，聚异戊二烯橡胶、聚苯乙烯-丁二烯橡胶、聚丁二烯橡胶、氯丁橡胶、丙烯腈-丁二烯橡胶(NBR)、丁基橡胶、丙烯酸类橡胶、乙烯-丙烯橡胶、硅橡胶等各种合成橡胶材料。另外，可以列举在这些树脂中添加有碳、氧化钛、氧化铝、钛酸钡、罗谢尔盐等无机材料的材料。所述电介质层中，优选介电常数在1.0～4000范围内的电介质层，更优选1.0～1000范围内的电介质层，进一步优选1.0～100范围内的电介质层。所述电介质层可以通过介质损耗使电磁波衰减。
作为所述磁性体层中使用的磁性粒子，没有特别限制，可以使用赤铁矿(Fe2O3)、磁铁矿(Fe3O4)、以及通式：MFe2O4、MO·nFe2O3(两式中，M为二价的金属粒子，可以列举Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ba、 Mg等，另外，n为正数，而且M重复时可以相同也可以不同)表示的各种铁氧体、硅钢粉、坡莫合金(Fe-Ni合金)、Co基非晶合金、铁硅铝磁合金(Fe-Al-Si合金)、高导磁合金、超透磁合金、镍铁高导磁合金、帕门德铁钴磁性合金(パ一メンタ一)、波尼瓦尔铁镍钴合金(パ一ミンバ一)等的各种金属粉或其合金粉、磁性粉等。另外，可以使用日立金属株式会社制造的finemet(注册商标)。这些物质可以单独使用或者两种以上组合使用。所述磁性体层可以是在树脂中配合有所述磁性粒子的层。所述磁性体层可以通过磁损耗使电磁波衰减。另外，通过将导电材料(所述有机导电材料、所述无机导电材料)与所述磁性粒子配合而得到的层作为电磁波屏蔽层31，可以进一步发挥电磁波阻断效果。
电磁波屏蔽层31的厚度没有特别限制，可以从0.001μm～10000μm的范围内选择，优选0.005～900μm，更优选0.01～800μm。但是，在通过电介质层或磁性体层而具有电磁波屏蔽特性的情况下，电磁波屏蔽层31的厚度根据要屏蔽的电磁波的频率而不同。一般而言，优选为要屏蔽的电磁波的波长(λ)的1/4以上。
对于半导体背面用薄膜40、41而言，优选透过半导体背面用薄膜40、41的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。所述频域优选为80MHz～19GHz的范围，更优选100MHz～18GHz的范围。另外，所述衰减量优选为4dB以上，更优选5dB以上。由于透过半导体背面用薄膜40、41的电磁波的衰减量对于50MHz～20GHz这样的较高频域的至少一部分而言为3dB以上，因此可以有效阻断电磁波。因此，可以减少从一个半导体元件释放的电磁波对另一个半导体元件、衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。
胶粘剂层30与电磁波屏蔽层31的180度剥离强度、以及胶粘剂层32与电磁波屏蔽层31的180度剥离强度，优选为0.5N/10mm以上，更优选0.8N/10mm以上，进一步优选1.0N/10mm以上。通过将所述180度剥离强度设定为0.5N/10mm以上，不容易引起层间剥离，可以提高 成品率。
所述180度剥离强度，可以如下所述进行测定。首先，用粘合带(日东电工株式会社制造，BT-315)对胶粘剂层进行加衬，并切割为10×100mm。然后，用粘合带(日东电工株式会社制造，BT-315)对电磁波屏蔽层进行加衬，并切割为10×100mm。然后，使用层压机(MCK制造，MRK-600)，在50℃、0.5MPa、10mm/秒的条件下将切出的胶粘剂层与电磁波屏蔽层粘贴。之后，在常温(25℃)的环境下放置20分钟，得到试验片。然后，使用拉伸试验机(岛津制作所制造，AGS-J)测定胶粘剂层与电磁波屏蔽层的180度剥离力。
胶粘剂层30、32至少由热固性树脂形成，优选至少由热固性树脂和热塑性树脂形成。
作为所述热塑性树脂，可以列举例如：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、尼龙6或尼龙6，6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或者氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。
作为所述丙烯酸类树脂，没有特别限制，可以列举：以一种或两种以上具有碳原子数30以下(优选碳原子数4～18、更优选碳原子数6～10、特别优选碳原子数8或9)的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯为成分的聚合物等。即，本发明中，丙烯酸类树脂是包含甲基丙烯酸类树脂的广义含义。作为所述烷基，可以列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、 十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
另外，作为用于形成所述丙烯酸类树脂的其它单体(烷基的碳原子数30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)，没有特别限制，可以列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；或者丙烯酰磷酸-2-羟基乙酯等含磷酸基单体。另外，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的“(甲基)”全部具有同样的含义。
另外，作为所述热固性树脂，可以列举：环氧树脂、酚醛树脂、以及氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚硅氧烷树脂、热固性聚酰亚胺树脂等。热固性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。特别适合的是腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂作为热固性树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，适合使用酚醛树脂。
作为环氧树脂，没有特别限制，可以使用例如：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三(羟苯基)甲烷型环氧树脂、四(羟苯基)乙烷型环氧树脂等双官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂或缩水甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。
作为环氧树脂，特别优选前面例示中的酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三(羟苯基)甲烷型环氧树脂或四(羟苯基)乙烷型环氧树脂。这是因为：这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的反应性好，并且耐热性等优良。
另外，所述酚醛树脂作为所述环氧树脂的固化剂起作用，可以列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚树脂、甲阶酚醛树脂(レゾ一ル)型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。酚醛树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些酚醛树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。
环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，例如，以相对于所述环氧树脂成分中的环氧基1当量酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的方式进行配合是适当的。另外，更合适的是0.8～1.2当量。即，这是因为：两者的配合比例在所述范围以外时，不能进行充分的固化反应，从而环氧树脂固化物的特性容易劣化。
本发明中，可以使用环氧树脂与酚醛树脂的热固化促进催化剂。作为热固化促进催化剂，没有特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂中适当选择使用。热固化促进催化剂可以单独使用或者两种以上组合使用。作为热固化促进催化剂，可以使用例如：胺类固化促进剂、含磷固化促进剂、咪唑类固化促进剂、含硼固化促进剂、含磷硼固化促进剂等。
作为胶粘剂层30、32，适合由含有环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物、或者含有环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物形成。这些树脂中的离子性杂质少，耐热性高，因此可以确保半导体的 可靠性。
另外，作为构成胶粘剂层30、32的胶粘剂组合物，如上所述，可以将聚酰亚胺树脂作为热固性聚酰亚胺树脂、或者作为热塑性聚酰亚胺树脂与其它树脂共同使用、也可以单独使用。聚酰亚胺树脂一般是将作为其前体的聚酰胺酸脱水缩合(酰亚胺化)而得到的耐热性树脂。聚酰胺酸可以通过将二胺成分与酸酐成分以实质上等摩尔比在适当的有机溶剂中反应来得到。
作为上述二胺，可以列举例如：脂肪族二胺或芳香族二胺。作为脂肪族二胺，可以列举例如：乙二胺、1，6-己二胺、1，8-二氨基辛烷、1，10-二氨基癸烷、1，12-二氨基十二烷、4，9-二氧杂-1，12-二氨基十二烷、1，3-双(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(α，ω-双氨丙基四甲基二硅氧烷)等。脂肪族二胺的分子量通常为50～1000000，优选100～30000。
作为上述二胺，可以列举例如：脂肪族二胺或芳香族二胺。作为脂肪族二胺，可以列举例如：乙二胺、1，6-己二胺、1，8-二氨基辛烷、1，10-二氨基癸烷、1，12-二氨基十二烷、4，9-二氧杂-1，12-二氨基癸烷、1，3-双(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(α，ω-双氨丙基四甲基二硅氧烷)等。脂肪族二胺的分子量通常为50～1000000，优选100～30000。
作为上述芳香族二胺，可以列举例如：4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯醚、间苯二胺、对苯二胺、4，4’-二氨基二苯基丙烷、3，3’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯硫醚、3，3’-二氨基二苯硫醚、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯砜、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)-2，2-二甲基丙烷、4，4’-二氨基二苯甲酮等。
作为上述酸酐，可以使用各种酸酐，可以列举例如：四元羧酸二酐。作为上述四元羧酸二酐，可以列举例如：3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、 2，2’，3，3’-联苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四甲酸二酐、4，4’-氧双(邻苯二甲酸)二酐、2，2-双(2，3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、双(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(2，3-二羧基苯基)砜二酐、双(3，4-二羧基苯基)砜二酐、均苯四酸二酐、乙二醇双偏苯三酸二酐等。这些物质可以单独使用或者两种以上组合使用。
作为使上述二胺与上述酸酐反应的溶剂，没有特别限制，可以列举例如：N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、环己酮等。为了调节原材料或树脂的溶解性，这些溶剂可以与甲苯、二甲苯等非极性溶剂适当地混合使用。
作为使聚酰胺酸酰亚胺化的方法，可以列举例如：加热酰亚胺化法、共沸脱水法、化学酰亚胺化法等。其中，优选加热酰亚胺化法，优选加热温度为150℃以上。另外，在加热酰亚胺化法中，为了防止树脂的氧化降解，优选在氮气氛下或真空中等惰性气氛下进行处理。由此，可以完全除去树脂中残留的挥发成分。
使上述四元羧酸二酐与上述二胺反应的情况下，特别是使用含有丁二烯丙烯腈共聚物骨架的二胺的情况下，优选在100℃以上的温度下进行反应。由此，可以防止凝胶化。
对于胶粘剂层30而言，重要的是对半导体芯片的背面(非电路形成面)具有胶粘性(密合性)。胶粘剂层30例如可以由含有作为热固性树脂的环氧树脂的树脂组合物形成。为了使胶粘剂层30预先进行某种程度的交联，在制作时优选添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能化合物作为交联剂。由此，可以提高高温下的胶粘特性，改善耐热性。
作为所述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体 而言，可以列举例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂、过氧化物类交联剂、以及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、 唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂、胺类交联剂等。作为交联剂，优选异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂。另外，所述交联剂可以单独使用或者两种以上组合使用。
作为所述异氰酸酯类交联剂，可以列举例如：1，2-乙二异氰酸酯、1，4-丁二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；环戊二异氰酸酯、环己二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工业公司制造，商品名“コロネ一トL”)、三羟甲基丙烷/1，6-己二异氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工业公司制造，商品名“コロネ一トHL”)等。作为所述环氧类交联剂，可以列举例如：N，N，N’，N’-四缩水甘油基间苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1，3-二(N，N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩水甘油基醚、新戊二醇二缩水甘油基醚、乙二醇二缩水甘油基醚、丙二醇二缩水甘油基醚、聚乙二醇二缩水甘油基醚、聚丙二醇二缩水甘油基醚、山梨醇多缩水甘油基醚、甘油多缩水甘油基醚、季戊四醇多缩水甘油基醚、聚甘油多缩水甘油基醚、失水山梨醇多缩水甘油基醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油基醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三(2-羟基乙基)异氰脲酸三缩水甘油酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油基醚、以及分子内具有两个以上环氧基的环氧类树脂等。
另外，交联剂的使用量没有特别限制，可以根据想交联的程度适当选择。具体而言，作为交联剂的使用量，例如，相对于聚合物成分(特别是具有分子链末端的官能团的聚合物)100重量份，通常优选设定为7 重量份以下(例如，0.05重量份～7重量份)。交联剂的使用量相对于聚合物100重量份超过7重量份时，胶粘力下降，因此不优选。另外，从提高凝聚力的观点考虑，交联剂的使用量相对于聚合物成分100重量份优选为0.05重量份以上。
另外，本发明中，代替使用交联剂、或者在使用交联剂的同时，可以利用电子射线或紫外线等的照射进行交联处理。
在半导体背面用薄膜40中，优选将胶粘剂层30着色。另外，半导体背面用薄膜40中，优选将胶粘剂层30和胶粘剂层32中的至少一个着色。由此，半导体背面用薄膜40、41可以发挥优良的标记性和外观性，可以得到外观具有附加价值的半导体装置。这样，着色的半导体背面用薄膜具有优良的标记性，因此在半导体元件或使用该半导体元件的半导体装置的非电路一侧的面上，经由半导体背面用薄膜，通过利用印刷方法或者激光标记方法等各种标记方法实施标记，可以赋予文字信息、图形信息等各种信息。特别是通过控制着色的颜色，能够以优良的可视性看到通过标记而赋予的信息(文字信息、图形信息等)。另外，半导体背面用薄膜被着色，因此可以容易地区别切割带和半导体背面用薄膜，可以提高作业性等。另外，例如作为半导体装置，可以对各制品用不同彩色进行区别。使半导体背面用薄膜有色的情况(非无色、透明的情况)下，作为通过着色而呈现的颜色，没有特别限制，例如，优选黑色、蓝色、红色等深色，特别优选为黑色。
本实施方式中，深色基本上是指由L*a*b*表色系规定的L*为60以下(0～60)[优选50以下(0～50)、进一步优选40以下(0～40)]的深色。
另外，黑色基本上是指由L*a*b*表色系规定的L*为35以下(0～35)[优选30以下(0～30)、进一步优选25以下(0～25)]的黑色系颜色。另外，对于黑色而言，作为由L*a*b*表色系规定的a*、b*，可以分别根据L*的值进行适当选择。作为a*、b*，例如，优选双方为-10～10， 更优选双方为-5～5，特别优选双方为-3～3的范围(其中，0或者基本为0)。
另外，本实施方式中，由L*a*b*表色系规定的L*、a*、b*通过使用色差计(商品名“CR-200”，Minolta公司制；色差计)测定而求出。另外，L*a*b*表色系是国际照明委员会(CIE)于1976年推荐的色彩空间，是指称为CIE1976(L*a*b*)表色系的色彩空间。另外，L*a*b*表色系在日本工业标准中由JIS Z 8729规定。
将胶粘剂层30、32着色时，根据目标颜色，可以使用各种色料(着色剂)。作为这样的色料，可以适合使用黑系色料、蓝系色料、红系色料等各种深色系色料，特别适合的是黑系色料。作为色料，可以是颜料、染料等的任意一种。色料可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，作为染料，可以使用酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等任意一种形态的染料。另外，颜料的形态没有特别限制，可以从公知的颜料中适当选择使用。
特别是使用染料作为色料时，由于在胶粘剂层30、32中染料通过溶解可以成为均匀地或者基本均匀地分散的状态，因此可以容易地制造着色浓度均匀或者基本均匀的半导体背面用薄膜40、41(进而切割带一体型半导体背面用薄膜1)。因此，使用染料作为色料时，可以使切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜的着色浓度均匀或者基本均匀，可以提高标记性或外观性。
作为黑系色料，没有特别限制，可以从无机的黑系颜料、黑系染料中适当选择。另外，作为黑系色料，可以是混合有青色系色料(蓝绿系色料)、洋红色系色料(紫红系色料)和黄色系色料(黄系色料)的色料混合物。黑系色料可以单独使用或者两种以上组合使用。当然，黑系色料可以与黑色以外的颜色的色料组合使用。
具体而言，作为黑系色料，可以列举例如：炭黑(炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂法炭黑、灯黑等)、石墨、氧化铜、二氧化锰、偶氮类颜料(偶氮次甲基偶氮黑等)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁氧体(非磁性铁氧体、磁性铁氧体等)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、复合氧化物类黑色色素、蒽醌类有机黑色色素等。
本发明中，作为黑系色料，也可以使用C.I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70、C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71、C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154、C.I.分散黑1、3、10、24等黑系染料；C.I.颜料黑1、7等黑系颜料等。
作为这样的黑系色料，市售有例如：商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名“Oil Black HBB”、商品名“Oil Black 803”、商品名“Oil Black 860”、商品名“Oil Black 5970”、商品名“Oil Black5906”、商品名“Oil Black 5905”(オリエント化学工业株式会社制造)等。
作为黑系色料以外的色料，可以列举例如：青系色料、洋红系色料、黄系色料等。作为青系色料，可以列举例如：C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95；C.I.酸性蓝6、45等青系染料；C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.还原蓝4、60；C.I.颜料绿7等青系颜料等。
另外，在洋红系色料中，作为洋红系染料，可以列举例如：C.I.溶剂红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27、28等。
在洋红系色料中，作为洋红系颜料，可以列举例如：C.I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；C.I.还原红1、2、10、13、15、23、29、35等。
另外，作为黄系色料，可以列举例如：C.I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112、162等黄系染料；C.I.颜料橙31、43；C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.还原黄1、3、20等黄系颜料等。
青系色料、洋红系色料、黄系色料等的各种色料，各自可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，使用青系色料、洋红系色料、黄系色料等的各种色料的两种以上的情况下，这些色料的混合比例(或者配合比例)没有特别限制，可以根据各色料的种类或目标颜色等适当选择。
使胶粘剂层30、32着色的情况下，其着色形态没有特别限制。例如，胶粘剂层30、32可以为添加有着色剂的单层薄膜状物。另外，可以是至少由热固性树脂形成的树脂层与着色剂层至少进行层叠而得到 的层叠薄膜。另外，胶粘剂层30、32为树脂层与着色剂层的层叠薄膜的情况下，作为层叠形态的胶粘剂层30、32，优选具有树脂层/着色剂层/树脂层的层叠形态。此时，着色剂层两侧的两个树脂层可以为相同组成的树脂层，也可以是不同组成的树脂层。
胶粘剂层30、32中根据需要可以适当配合其它添加剂。作为其它添加剂，可以列举例如：填充剂(填料)、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂、以及增量剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
作为所述填充剂，可以为无机填充剂、有机填充剂中的任意一种，优选无机填充剂。通过配合无机填充剂等填充剂，可以对胶粘剂层30、32赋予导电性、提高导热性、调节弹性模量等。另外，胶粘剂层30、32既可以为导电性的，也可以为非导电性的。作为所述无机填充剂，可以列举例如：包含二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类，铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属或合金类，以及碳等的各种无机粉末等。填充剂可以单独使用或者两种以上组合使用。作为填充剂，其中，优选二氧化硅、特别是熔融二氧化硅、另外，无机填充剂的平均粒径优选在0.1μm～80μm的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可以通过激光衍射型粒度分布测定装置来测定。
所述填充剂(特别是无机填充剂)的配合量，相对于有机树脂成分100重量份优选为80重量份以下(0重量份～80重量份)，特别地0重量份～70重量份是适当的。
另外，作为所述阻燃剂，可以列举例如：三氧化二锑、五氧化二锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述硅烷偶联剂，可以列举例如：β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述 离子捕获剂，可以列举例如：水滑石类、氢氧化铋等。离子捕获剂可以单独使用或者两种以上组合使用。
胶粘剂层30、32例如可以应用将环氧树脂等热固性树脂和根据需要的丙烯酸类树脂等热塑性树脂以及根据需要的溶剂或其它添加剂等混合以制备树脂组合物，并形成为薄膜状的层的惯用方法来形成。
另外，胶粘剂层30、32通过含有环氧树脂等热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，胶粘剂层30、32中，在应用于半导体晶片前的阶段，热固性树脂处于未固化或部分固化的状态。此时，应用于半导体晶片后(具体而言，通常在倒装芯片式接合工序中将密封材料固化时)，使胶粘剂层30、32中的热固性树脂完全或者基本完全固化。
可见，胶粘剂层30、32虽然含有热固性树脂，但是，由于该热固性树脂为未固化或部分固化的状态，因此作为胶粘剂层30、32的凝胶分数，没有特别限制，例如，可以从50重量％以下(0重量％～50重量％)的范围内适当选择，优选30重量％以下(0重量％～30重量％)，特别优选10重量％以下(0重量％～10重量％)。胶粘剂层的凝胶分数的测定方法可以通过以下的测定方法来测定。
<凝胶分数的测定方法>
从胶粘剂层上取样约0.1g并精确称量(试样的重量)，将该试样用网状片包裹后，在约50ml的甲苯中在室温下浸渍1周。之后，从甲苯中取出溶剂不溶成分(网状片的内容物)，在130℃下干燥约2小时，称量干燥后的溶剂不溶成分(浸渍/干燥后的重量)，由下式(a)计算凝胶分数(重量％)。
凝胶分数(重量％)＝[(浸渍/干燥后的重量)/(试样的重量)]×100(a)
另外，胶粘剂层的凝胶分数，可以通过树脂成分的种类或其含量、 交联剂的种类或其含量、以及加热温度、加热时间等进行控制。
本发明中，胶粘剂层为由含有环氧树脂等热固性树脂的树脂组合物形成的薄膜状物的情况下，可以对半导体晶片有效地发挥密合性。
半导体背用面薄膜40、41的未固化状态下的23℃下的拉伸储能弹性模量优选为1GPa(例如，1GPa～50GPa)，更优选2GPa以上，特别优选3GPa以上。所述拉伸储能弹性模量为1GPa以上时，将半导体芯片与半导体背面用薄膜40、41一起从切割带的粘合剂层22上剥离后，将半导体背面用薄膜40、41载置于支撑体上进行运输等时，可有效地抑制或防止半导体背面用薄膜粘贴在支撑体上。另外，所述支撑体例如是指载带中的上胶带或下胶带等。
半导体背面用薄膜的未固化状态下的所述拉伸储能弹性模量(23℃)可以通过树脂成分(热塑性树脂、热固性树脂)的种类或其含量、二氧化硅等填充材料的种类等进行控制。
另外，胶粘剂层30、32为多个层层叠而成的层叠薄膜的情况(半导体背面用薄膜具有层叠的形态的情况)下，作为其层叠形态，可以例示例如：包含晶片胶粘层和激光标记层的层叠形态等。另外，在这样的晶片胶粘层与激光标记层之间，可以设置其它层(中间层、光线阻断层、增强层、着色层、基材层、电磁波阻断层、导热层、粘合层等)。另外，晶片胶粘层是对晶片发挥优良的密合性(胶粘性)的层，是与晶片的背面接触的层。另一方面，激光标记层是发挥优良的激光标记性的层，是在半导体芯片的背面进行激光标记时使用的层。
另外，所述拉伸储能弹性模量，为通过制作不层叠在切割带2上的、未固化状态的半导体背面用薄膜40、41，使用Rheometric公司制造的动态粘弹性测定装置(Solid Analyzer RS A2)，以拉伸模式，在试样宽度：10mm、试样长度：22.5mm、试样厚度：0.2mm、频率：1Hz、 升温速度：10℃/分钟、氮气气氛下、规定的温度(23℃)下进行测定而得到的拉伸储能弹性模量的值。
对于半导体背面用薄膜40、41而言，优选至少一个面由隔片(剥离衬垫)保护(未图示)。例如，在切割带一体型半导体背面用薄膜1(参考图3)的情况下，可以仅在半导体背面用薄膜的一个面设置隔片，另一方面，在未与切割带一体化的半导体背面用薄膜的情况下，可以在半导体背面用薄膜的单面或两面设置隔片。隔片具有在供给实际应用之前作为保护半导体背面用薄膜的保护材料的功能。另外，在切割带一体型半导体背面用薄膜1的情况下，隔片还可以作为在切割带的基材上的粘合剂层22上转印半导体背面用薄膜40时的支撑基材使用。隔片在向半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶片时剥离。作为隔片，可以使用聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂敷的塑料薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)或纸等。另外，隔片可以通过现有公知的方法形成。另外，隔片的厚度等也没有特别限制。
半导体背面用薄膜40、41未层叠到切割带2上的情况下，半导体背面用薄膜40、41可以使用一片两面具有剥离层的隔片以卷绕为卷筒状的形态由两面具有剥离层的隔片保护，也可以由至少一个面具有剥离层的隔片保护。
另外，半导体背面用薄膜40、41的可见光(波长：400nm～800nm)的光线透射率(可见光透射率)，没有特别限制，例如，优选为20％以下(0％～20％)的范围，更优选10％以下(0％～10％)，特别优选5％以下(0％～5％)。半导体背面用薄膜40、41的可见光透射率超过20％时，由于光线透过，有可能会对半导体元件产生不利影响。另外，所述可见光透射率(％)可以通过半导体背面用薄膜40、41的树脂成分的种类或其含量、着色剂(颜料或染料等)的种类或其含量、无机填充材料的含量等进行控制。
半导体背面用薄膜的可见光透射率(％)可以通过如下方式测定。即，制作厚度(平均厚度)20μm的半导体背面用薄膜单体。然后，对半导体背面用薄膜，以规定的强度照射波长400nm～800nm的可见光线[装置：岛津制作所制造的可见光发生装置(商品名“ABSORPTIONSPECTRO PHOTOMETR”)]，并测定透射的可见光线的强度。另外，由可见光线透过半导体背面用薄膜前后的强度变化，可以求出可见光透射率的值。另外，也可以由厚度不为20μm的半导体背面用薄膜的可见光透射率(％；波长：400nm～800nm)的值，推导出厚度20μm的半导体背面用薄膜的可见光透射率(％；波长：400nm～800nm)。另外，本发明中，求出厚度20μm的半导体背面用薄膜的情况下的可见光透射率(％)，但是，本发明的半导体背面用薄膜不限于厚度20μm的半导体背面用薄膜。
另外，作为半导体背面用薄膜40、41，优选其吸湿率低。具体而言，优选所述吸湿率为1重量％以下，更优选0.8重量％以下。通过将所述吸湿率设定为1重量％以下，可以提高激光标记性。另外，例如，在回流焊接工序中，可以抑制或防止在半导体背面用薄膜40、41与半导体元件之间产生空隙等。另外，所述吸湿率为通过将半导体背面用薄膜40、41在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置168小时前后的重量变化而求出的值。半导体背面用薄膜由含有热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，所述吸湿率是指对于热固化后的半导体背面用薄膜而言，在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置168小时时的值。另外，所述吸湿率例如可以通过改变无机填料的添加量进行控制。
另外，作为半导体背面用薄膜40、41，优选挥发成分的比例低。具体而言，加热处理后的半导体背面用薄膜40、41的重量减少率(重量减少量的比例)优选为1重量％以下，更优选0.8重量％以下。加热处理的条件例如为加热温度250℃、加热时间1小时。通过将所述重量减少 率设定为1重量％以下，可以提高激光标记性。另外，例如，在回流焊接工序中，可以抑制或防止倒装芯片型的半导体装置产生裂纹。所述重量减少率例如可以通过添加能够减少无铅回流焊接时的裂纹产生的无机物来进行调节。另外，半导体背面用薄膜40、41由含有热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，所述重量减少率是指对于热固化后的半导体背面用薄膜而言，在加热温度250℃、加热时间1小时的条件下加热时的值。
半导体背面用薄膜40、41的厚度(包含电磁波屏蔽层以及胶粘剂层的总厚度)没有特别限制，例如，可以从1～10000μm的范围内选择，优选2～900μm，更优选3～800μm。
胶粘剂层30、32的厚度没有特别限制，可以通过使半导体背面用薄膜40、41的厚度落入上述范围内的方式进行选择，例如，为1～200μm，优选2～150μm，更优选3～100μm。
本实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜，通过层叠在切割带上可以作为切割带一体型半导体背面用薄膜使用。作为所述切割带，没有特别限制，例如，可以采用在基材上层叠有粘合剂层的切割带。以下，以层叠在切割带上的切割带一体型半导体背面用薄膜对上述实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜进行说明。
(切割带一体型半导体背面用薄膜)
图3是表示本实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一例的示意剖视图。如图3所示，切割带一体型半导体背面用薄膜1，为具有在基材21上设置有粘合剂层22的切割带2和半导体背面用薄膜40的构成。另外，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜，如图3所示，可以是在切割带2的粘合剂层22上，仅在与半导体晶片的粘贴部分对应的部分23上形成有胶粘剂层30的构成，也可以是在整个粘合剂层22上形成有半导体背面用薄膜的构成，另外，也可以是在大于与 半导体晶片的粘贴部分对应的部分23并且比整个粘合剂层22小的部分形成有半导体背面用薄膜的构成。另外，半导体背面用薄膜40的表面(与晶片背面粘贴的一侧的表面)在直到粘贴到晶片背面的期间内，可以由隔片等保护。
(切割带)
切割带2，具有在基材21上形成有粘合剂层22的构成。可见，切割带2具有基材21与粘合剂层22层叠的构成即可。基材(支撑基材)可以作为粘合剂层等的支撑母体使用。所述基材21优选具有辐射线透射性。作为所述基材21，可以使用例如：纸等纸类基材；布、无纺布、毡、网等纤维类基材；金属箔、金属板等金属类基材；塑料的薄膜或片等塑料类基材；橡胶片等橡胶类基材；发泡片等发泡体；以及它们的层叠体[特别是塑料类基材与其它基材的层叠体、塑料薄膜(或片)相互之间的层叠体等]等适当的薄纸状物。本发明中，作为基材，可以适合使用塑料的薄膜或片等塑料类基材。作为这样的塑料材料中的材质，可以列举例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烃类树脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等以乙烯为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳族聚酰胺)等酰胺类树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；聚硅氧烷树脂；含氟树脂等。
另外，作为基材21的材料，可以列举所述树脂的交联物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理后使用。根据通过拉伸处理而具有热收缩性的树脂片，切割后通过使其基材21热收缩而降低粘合剂层22与胶粘层剂30的胶粘面积，可以容易地回收半导体芯片。
为了提高与邻接层的密合性和保持性等，基材21的表面可以进行惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电压暴露、离子化射线处理等化学或物理处理、底涂剂(例如，后述的粘合物质)的涂布处理等。
所述基材21，可以适当选择使用同种或异种材料，根据需要也可以将多种混合使用。另外，为了使基材21具有防静电性能，可以在所述基材21上设置包含金属、合金、它们的氧化物等的厚度约 ～约 的导电物质的蒸镀层。基材21可以是单层也可以是2种以上的多层。
基材21的厚度(层叠体情况下的总厚度)没有特别限制，可以根据强度、柔软性、使用目的等适当设定，例如，一般为约1000μm以下(例如约1μm～约1000μm)，优选约10μm～约500μm，进一步优选约20μm～约300μm，特别是约30μm～约200μm，但是不限于此。
另外，在不损害本发明效果的范围内，基材21中可以含有各种添加剂(着色剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。
所述粘合剂层22由粘合剂形成，具有粘合性。作为这样的粘合剂，没有特别限制，可以从公知的粘合剂中适当选择。具体而言，作为粘合剂，可以从例如丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、乙烯基烷基醚类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚酰胺类粘合剂、聚氨酯类粘合剂、含氟型粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类粘合剂、在这些粘合剂中配合有熔点约200℃以下的热熔性树脂的蠕变特性改良型粘合剂等公知的粘合剂(例如，参考日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等)中适当选择使用具有所述特性的粘合剂。另外，作 为粘合剂，也可以使用辐射线固化型粘合剂(或者能量射线固化型粘合剂)、热膨胀性粘合剂。粘合剂可以单独使用或者两种以上组合使用。
作为所述粘合剂，可以适合使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂，特别地，丙烯酸类粘合剂是适合的。作为丙烯酸类粘合剂，可以列举以使用一种或两种以上(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体成分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为所述丙烯酸类粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯、(甲基)丙烯酸二十烷酯等(甲基)丙烯酸烷基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，优选烷基的碳原子数4～18的(甲基)丙烯酸烷基酯。另外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可以为直链状或支链状。
另外，为了改善凝集力、耐热性、交联性等，所述丙烯酸类聚合物中根据需要可以含有与能够与所述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可以列举例如：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟十二烷酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟 基单体；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；丙烯酰磷酸-2-羟基乙酯等含磷酸基单体；(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代的)酰胺类单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸-N，N-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸类单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯类单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯类单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃类单体；乙烯基醚等乙烯醚类单体；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基 唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酰胺类、N-乙烯基己内酰胺等含氮单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺类单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺类单体；N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺类单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇类丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、聚硅氧烷(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯类单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧基丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸 酯等多官能单体等。这些可共聚单体可以使用一种或两种以上。
使用辐射线固化型粘合剂(或者能量射线固化型粘合剂)作为粘合剂的情况下，作为辐射线固化型粘合剂(组合物)，可以列举例如：使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有自由基反应性的碳碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的辐射线固化型粘合剂、或者在粘合剂中配合有紫外线固化性单体成分或低聚物成分的辐射线固化型粘合剂等。另外，使用热膨胀性粘合剂作为粘合剂的情况下，作为热膨胀性粘合剂，可以列举例如：含有粘合剂和发泡剂(特别是热膨胀性微球)的热膨胀性粘合剂等。
本发明中，在不损害本发明效果的范围内，粘合剂层22中可以含有各种添加剂(例如增粘树脂、着色剂、增稠剂、增量剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
作为所述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。
作为所述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，可以列举例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂、过氧化物类交联剂、以及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、 唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂、胺类交联剂等，优选异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂。交联剂可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，交联剂的使用量没有特别限制。
作为所述异氰酸酯类交联剂，可以列举例如：1，2-乙二异氰酸酯、1，4-丁二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；环戊二异氰酸酯、环己二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚 甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工业公司制造，商品名“コロネ一トL”)、三羟甲基丙烷/1，6-己二异氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工业公司制造，商品名“コロネ一トHL”)等。作为所述环氧类交联剂，可以列举例如：N，N，N’，N’-四缩水甘油基间苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1，3-二(N，N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩水甘油基醚、新戊二醇二缩水甘油基醚、乙二醇二缩水甘油基醚、丙二醇二缩水甘油基醚、聚乙二醇二缩水甘油基醚、聚丙二醇二缩水甘油基醚、山梨醇多缩水甘油基醚、甘油多缩水甘油基醚、季戊四醇多缩水甘油基醚、聚甘油多缩水甘油基醚、失水山梨醇多缩水甘油基醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油基醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三(2-羟基乙基)异氰脲酸三缩水甘油酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油基醚、以及分子内具有两个以上环氧基的环氧类树脂等。
另外，本发明中，代替使用交联剂、或者在使用交联剂的同时，可以利用电子射线或紫外线等的照射进行交联处理。
粘合剂层22例如可以利用将粘合剂(压敏胶粘剂)和根据需要的溶剂或者其它添加剂等进行混合并形成为片状的层的惯用方法来形成。具体而言，例如，可以通过将含有粘合剂以及根据需要的溶剂或其它添加剂的混合物涂布到基材21上的方法、将所述混合物涂布到适当的隔片(剥离纸等)上形成粘合剂层22并将其转印(转移)到基材21上的方法等来形成粘合剂层22。
粘合剂层22的厚度没有特别限制，例如，为约5μm～约300μm(优选约5μm～约200μm，进一步优选约5～约100μm，特别优选约7μm～约50μm)。粘合剂层22的厚度在所述范围内时，可以发挥适度的粘合力。另外，粘合剂层22可以为单层或多层。
另外，本发明中，可以使倒装芯片型半导体背面用薄膜40、41或切割带一体型半导体背面用薄膜1具有防静电能力。由此，可以防止其胶粘时及剥离时等情况下产生静电或者由此而导致半导体晶片等带电从而破坏电路等。防静电能力的赋予，可以通过在基材21、粘合剂层22或者倒装芯片型半导体背面用薄膜40、41中添加防静电剂或导电性物质的方法、在基材21上设置包含电荷移动络合物或金属膜等的导电层的方法等适当的方式进行。作为这些方式，优选不容易产生有可能使半导体晶片变质的杂质离子的方式。以导电性的赋予、导热性的提高等为目的而配合的导电性物质(导电填料)，可以列举银、铝、金、铜、镍、导电性合金等的球状、针状、薄片状金属粉、氧化铝等金属氧化物、非晶炭黑、石墨等。但是，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜40、41为非导电性，这从可以不产生漏电的观点考虑是优选的。
另外，倒装芯片型半导体背面用薄膜40、41、切割带一体型半导体背面用薄膜1，可以以卷绕为卷筒状的形态形成，也可以以片(薄膜)层叠的形态形成。例如，具有卷绕为卷筒状的形态的情况下，将倒装芯片型半导体背面用薄膜或者倒装芯片型半导体背面用薄膜与切割带的层叠体在根据需要由隔片保护的状态下卷绕为卷筒状，而以卷绕为卷筒状的状态或形态的倒装芯片型半导体背面用薄膜或切割带一体型半导体背面用薄膜的形式来制作。另外，作为卷绕为卷筒状的状态或形态的切割带一体型半导体背面用薄膜1，可以由基材21、在所述基材21的一个面上形成的粘合剂层22、在所述粘合剂层22上形成的半导体背面用薄膜、和在所述基材21的另一个面上形成的剥离处理层(背面处理层)构成。
另外，切割带一体型半导体背面用薄膜1的厚度(半导体背面用薄膜的厚度与包含基材21和粘合剂层22的切割带的厚度的总厚度)，例如，可以从7μm～11300μm的范围内选择，优选17μm～1600μm(进一步优选28μm～1200μm)。
另外，切割带一体型半导体背面用薄膜中，通过控制倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度与切割带的粘合剂层的厚度之比、或者倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度与切割带的厚度(基材与粘合剂层的总厚度)之比，可以提高切割工序时的切割性、拾取工序时的拾取性等，可以在从半导体晶片的切割工序～半导体芯片的倒装芯片式接合工序中有效地使用切割带一体型半导体背面用薄膜。
(半导体背面用薄膜的制造方法)
对半导体背面用薄膜40、41的制造方法进行说明。首先，制作作为胶粘剂层30的形成材料的胶粘剂组合物溶液。该胶粘剂组合物溶液中，除了所述胶粘剂组合物以外，根据需要也可以配合填料、各种添加剂等。
然后，以达到规定厚度的方式将胶粘剂组合物溶液涂布到基材隔片上形成涂膜后，在规定条件下干燥该涂膜，形成胶粘剂层30。作为涂布方法，没有特别限制，可以列举例如：辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，可以列举例如：在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的范围内进行。
然后，在胶粘剂层30上形成电磁波屏蔽层31。电磁波屏蔽层31可以使用所述的材料，通过溅射法、CVD法、真空蒸镀法等蒸镀法、镀敷法、浸渍法、涂布法等形成。另外，例如通过预先将所述材料形成为薄膜状(例如，金属箔)并压接到胶粘剂层30上，由此可以形成电磁波屏蔽层31。通过以上操作，可以半导体背面用薄膜40。
另外，通过在电磁波屏蔽层31上进一步形成胶粘剂层32，可以得到半导体背面用薄膜41。胶粘剂层32通过将用于形成胶粘剂层32的形成材料(胶粘剂组合物)以达到规定厚度的方式涂布到剥离纸上，并且在规定条件下形成涂层来形成。通过将该涂层转印到电磁波屏蔽层31上，形成半导体背面用薄膜41。另外，通过将形成材料直接涂布到 电磁波屏蔽层31上后在规定条件下进行干燥，也可以形成胶粘剂层32。
(切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法)
以下，对切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法，以图3所示的切割带一体型半导体背面用薄膜1为例进行说明。首先，基材21可以通过现有公知的制膜方法制膜。作为该制膜方法，可以例示例如：压延制膜法、有机溶剂中的浇注法、密闭体系中的吹胀挤出法、T形模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。
接着，在基材21上涂布粘合剂组合物溶液形成涂膜，然后干燥(根据需要加热交联)而形成粘合剂层22。作为涂布方法，可以列举例如：辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，可以直接将粘合剂层组合物涂布到基材21上而在基材21上形成粘合剂层22，或者，也可以将粘合剂组合物涂布到表面进行剥离处理后的剥离纸等上形成粘合剂层22，然后将该粘合剂层22转印到基材21上。由此，可以制作在基材21上形成有粘合剂层22的切割带2。
然后，以预先制造的半导体背面用薄膜40的胶粘剂层30与粘合剂层22为粘贴面的方式将两者粘贴。粘贴例如可以通过压接来进行。此时，层压温度没有特别限制，例如优选30～50℃，更优选35～45℃。另外，线压没有特别限制，例如优选0.1～20kgf/cm，更优选1～10kgf/cm。然后，将胶粘剂层上的基材隔片剥离，得到本实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜1。另外，通过在粘合剂层22上依次直接形成胶粘剂层30、电磁波屏蔽层31，也可以得到切割带一体型半导体背面用薄膜1。此时，胶粘剂层30、电磁波屏蔽层31的形成方法可以与所述的半导体背面用薄膜的制造方法同样。另外，在形成半导体背面用薄膜40时进行热固化的情况下，以达到部分固化的状态的程度进行热固化是重要的，优选不进行热固化。
本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1，可以适合在具备倒 装芯片式接合工序的半导体装置的制造时使用。即，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1，在制造倒装芯片式安装的半导体装置时使用，在半导体芯片的背面粘贴有切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜40的状态下或形态下制造倒装芯片式安装的半导体装置。因此，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1，可以对倒装芯片式安装的半导体装置(半导体芯片以倒装芯片式接合方式固定到衬底等被粘物上的状态或形态的半导体装置)使用。
另外，半导体背面用薄膜40与切割带一体型半导体背面用薄膜1同样，可以对倒装芯片式安装的半导体装置(半导体芯片以倒装芯片式接合方式固定到衬底等被粘物上的状态或形态的半导体装置)使用。
(半导体晶片)
作为半导体晶片，只要是公知或惯用的半导体晶片则没有特别限制，可以从各种材质的半导体晶片中适当选择使用。本发明中，可以适合使用硅晶片作为半导体晶片。
(半导体装置的制造方法)
以下，参考图4对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。图4是表示使用所述的切割带一体型半导体背面用薄膜1的情况的半导体装置的制造方法的示意剖视图。
关于所述半导体装置的制造方法，可以使用所述切割带一体型半导体背面用薄膜1制造半导体装置。具体而言，至少具备以下工序：将半导体晶片粘贴到所述切割带一体型半导体背面用薄膜上的工序、切割所述半导体晶片的工序、拾取通过切割而得到的半导体元件的工序、和将所述半导体元件倒装芯片式连接到被粘物上的工序。
另外，半导体背面用薄膜40的情况下，可以通过基于使用切割带一体型半导体背面用薄膜1的情况的半导体装置的制造方法的方法制 造半导体装置。例如，通过将半导体背面用薄膜40以与切割带粘贴而与切割带一体化的切割带一体型半导体背面用薄膜的形式使用，可以制造半导体装置。此时，使用半导体背面用薄膜40的半导体装置的制造方法，成为在所述切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法的工序中，还具备将半导体背面用薄膜与切割带以半导体背面用薄膜与切割带的粘合剂层接触的形态粘贴的工序的制造方法。
另外，半导体背面用薄膜40也可以在不与切割带一体化的情况下粘贴到半导体晶片上使用。此时，使用半导体背面用薄膜40的半导体装置的制造方法，成为把所述切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法中的将半导体晶片粘贴到切割带一体型半导体背面用薄膜上的工序改变为，将半导体背面用薄膜粘贴到半导体晶片的工序、在粘贴到半导体晶片上的半导体背面用薄膜上将切割带以半导体背面用薄膜与切割带的粘合剂层接触的形态粘贴的工序的制造方法。
另外，半导体背面用薄膜40，可以粘贴到将半导体晶片小片化而得到的半导体芯片上使用。此时，使用半导体背用面薄膜40的制造方法，可以为至少包括例如将切割带粘贴到半导体晶片上的工序、切割所述半导体晶片的工序、拾取通过切割而得到的半导体元件的工序、将所述半导体元件倒装芯片式连接到被粘物上的工序、和将半导体背面用薄膜粘贴到半导体元件上的工序的制造方法。
[安装工序]
首先，如图4(a)中所示，将在切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜40上任选设置的隔片适当地剥离，将半导体晶片4粘贴到该半导体背面用薄膜40上，使其胶粘保持而固定(安装工序)。此时，所述半导体背面用薄膜40为未固化状态(包括半固化状态)。另外，切割带一体型半导体背面用薄膜1粘贴到半导体晶片的背面。半导体晶片4的背面，是指与电路面相反侧的面(也称为非电路面、非电极形成面等)。粘贴方法没有特别限制，优选通过压接的方法。压接通 常在利用压接辊等挤压手段挤压的同时进行。
[切割工序]
然后，如图4(b)中所示，进行半导体晶片4的切割。由此，将半导体晶片4切割为规定尺寸而小片化，制作半导体芯片5。切割例如按照常规方法从半导体晶片4的电路面一侧进行。另外，本工序中，例如，可以采用切入到切割带一体型半导体背面用薄膜1的、称为全切割的切割方式等。本工序中使用的切割装置没有特别限制，可以采用现有公知的切割装置。另外，半导体晶片4由具有半导体背面用薄膜的切割带一体型半导体背面用薄膜1以优良的密合性胶粘固定，因此可以抑制芯片缺损或芯片飞散，并且可以抑制半导体晶片4的破损。此时，在构成半导体背面用薄膜40的电磁波屏蔽层31为通过蒸镀法形成的蒸镀膜的情况下，在刀片切割时不容易产生切削碎屑，可以防止半导体芯片的污染。另外，也可以抑制刀片的损伤。
另外，进行切割带一体型半导体背面用薄膜1的扩张的情况下，可以使用现有公知的扩张装置进行该扩张。扩张装置具有可以通过切割环将切割带一体型半导体背面用薄膜1下压的圆环状外环和直径小于外环并且用于支撑切割带一体型半导体背面用薄膜的内环。通过该扩张工序，在后述的拾取工序中，可以防止相邻半导体芯片相互接触而破损。
[拾取工序]
为了回收由切割带一体型半导体背面用薄膜1胶粘固定的半导体芯片5，如图4(c)中所示，进行半导体芯片5的拾取。半导体芯片5与半导体背面用薄膜40一起从切割带2上剥离。拾取方法没有特别限制，可以采用现有公知的各种方法。例如，可以列举：用针将各个半导体芯片5从切割带一体型半导体背面用薄膜1的基材21一侧上推，利用拾取装置拾取上推的半导体芯片5的方法等。另外，拾取的半导体芯片5其背面由半导体背面用薄膜40保护。
[倒装芯片式连接工序]
拾取的半导体芯片5，如图4(d)中所示，通过倒装芯片式接合方式(倒装芯片式安装方式)固定到衬底等被粘物上。具体而言，将半导体芯片5以半导体芯片5的电路面(也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)面对被粘物5的形态通过常规方法固定到被粘物6上。例如，将在半导体芯片5的电路面一侧形成的凸块51与被粘在被粘物6的连接焊盘上的接合用导电材料(焊料等)61接触，并在将其进行按压的同时使导电材料熔融，由此，可以确保半导体芯片5与被粘物6的电导通，并将半导体芯片5固定在被粘物6上(倒装芯片式接合工序)。此时，半导体芯片5与被粘物6之间形成空隙，该空隙间距一般为约30μm～约300μm。另外，将半导体芯片5倒装芯片式接合(倒装芯片式连接)到被粘物6上后，清洗半导体芯片5与被粘物6的相对面和间隙并用密封材料(密封树脂等)填充该间隙进行密封是重要的。
作为被粘物6，可以使用引线框、电路板(布线电路板等)等各种衬底。作为这样的衬底的材料，没有特别限制，可列举陶瓷衬底、塑料衬底。作为塑料衬底，可以列举例如：环氧树脂衬底、双马来酰亚胺三嗪树脂衬底、聚酰亚胺衬底等。
在倒装芯片式接合工序中，作为凸块或导电材料的材质，没有特别限制，可以列举例如：锡-铅系金属材料、锡-银系金属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锌系金属材料、锡-锌-铋系金属材料等焊料类(合金)、以及金系金属材料、铜系金属材料等。
另外，在倒装芯片式接合工序中，使导电材料熔融，将半导体芯片5的电路面一侧的凸块与被粘物6表面的导电材料连接，作为该导电材料的熔融时的温度，通常为约260℃(例如，250℃～300℃)。本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜，利用环氧树脂等形成半导体背面用薄膜，由此，可以得到能够耐受该倒装芯片式接合工序中的高温 的具有耐热性的切割带一体型半导体背面用薄膜。
本工序中，优选进行半导体芯片5与被粘物6的相对面(电极形成面)或间隙的清洗。作为该清洗中使用的清洗液，没有特别限制，可以列举例如：有机型清洗液、水性清洗液。本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜，对清洗液具有耐溶剂性，在这些清洗液中实质上不具有溶解性。因此，如前所述，作为清洗液，可以使用各种清洗液，不必使用特别的清洗液，可以通过现有的方法进行清洗。
然后，进行用于将倒装芯片式接合后的半导体芯片5与被粘物6间的间隙密封的密封工序。密封工序使用密封树脂进行。此时的密封条件没有特别限制，通常在175℃下进行60秒～90秒，由此进行密封树脂的热固化(回流焊接)，但是，本发明不限于此，例如，也可以在165～185℃下固化几分钟。该工序中的热处理中，不仅将密封树脂、而且将半导体背面用薄膜40的胶粘剂层30的热固化也同时进行。由此，密封树脂和胶粘剂层30双方随着热固化的进行而产生固化收缩。结果，起因于密封树脂的固化收缩而对半导体芯片5施加的应力，可以通过胶粘剂层30的固化收缩而抵消或缓和。另外，通过该工序，可以使胶粘剂层30完全或者基本完全地热固化，可以以优良的密合性粘贴到半导体元件的背面上。另外，本发明中的胶粘剂层30即使处于未固化状态，在该密封工序时也可以与密封材料一起固化，因此不必增加使胶粘剂层30热固化的新工序。
作为所述密封树脂，只要是具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)则没有特别限制，可以从公知的密封树脂等密封材料中适当选择使用，更优选具有弹性的绝缘树脂。作为密封树脂，例如，可以列举包含环氧树脂的树脂组合物等。作为环氧树脂，可以列举前面例示的环氧树脂等。另外，作为基于包含环氧树脂的树脂组合物的密封树脂，除环氧树脂以外，还可以含有环氧树脂以外的热固性树脂(酚醛树脂等)、热塑性树 脂等作为树脂成分。另外，作为酚醛树脂，也可以作为环氧树脂的固化剂使用，作为这样的酚醛树脂，可以列举前面例示的酚醛树脂等。
使用所述切割带一体型半导体背面用薄膜1或半导体背面用薄膜40制造的半导体装置(倒装芯片式安装的半导体装置)中，半导体背面用薄膜粘贴到半导体芯片的背面，因此可以以优良的可视性实施各种标记。特别地，即使标记方法是激光标记方法，也能够以优良的对比度实施标记，从而能够良好地辨识通过激光标记施加的各种信息(文字信息、图形信息等)。另外，进行激光标记时，可以使用公知的激光标记装置。另外，作为激光，可以使用气体激光、固体激光、液体激光等各种激光。具体而言，作为气体激光，没有特别限制，可以使用公知的各种气体激光，优选二氧化碳激光(CO2激光)、准分子激光(ArF激光、KrF激光、XeCl激光、XeF激光等)。另外，作为固体激光，没有特别限制，可以使用公知的固体激光，优选YAG激光(Nd:YAG激光等)、YVO4激光。
另外，在半导体背面用薄膜40上进行激光标记后，根据需要，可以进行热处理(激光标记后进行的回流焊接工序)。该热处理条件没有特别限制，可以根据日本半导体技术协会(JEDEC)的标准进行。例如，可以在温度(上限)为210℃～270℃的范围内，在时间为5秒～50秒的条件下进行。通过该工序，可以将半导体封装安装到衬底(底板等)上。
使用本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜或半导体背面用薄膜制造的半导体装置，为通过倒装芯片式安装方式安装的半导体装置，因此可以成为比通过芯片接合式安装方式安装的半导体装置更薄型化、小型化的形状。因此，可以适合作为各种电子设备、电子部件或它们的材料、构件使用。具体而言，作为使用本发明的倒装芯片式安装的半导体装置的电子设备，可以列举：所谓的“便携电话”或“PHS”、小型计算机(例如，所谓的“PDA”(便携式信息末端)、所谓的“笔记本”、所谓的“ネツトブツク”(注册商标)、所谓的“ウエアラブルコンピユ 一タ”等)、“便携电话”及计算机一体化的小型电子设备、所谓的“デジタルカメラ(商标)”、所谓的“数字摄像机”、小型电视机、小型游戏机、小型数字音频播放器、所谓的“电子记事本”、所谓的“电子书”用电子设备末端、小型数字式钟表等可移动型的电子设备(可以拿着移动的电子设备)等，当然，也可以是可移动型以外(设置型等)的电子设备(例如，所谓的“桌面计算机”、薄型电视机、录像播放用电子设备(硬盘式录放机、DVD播放器等)、投影仪、微型机器等)。另外，作为电子部件或电子设备、电子部件的材料、构件，可以列举例如：所谓的“CPU”的构件、各种存储装置(所谓的“内存”、硬盘等)的构件等。
上述的实施方式中，对电磁波屏蔽层31为一层的情况进行了说明。但是，在本发明中，电磁波屏蔽层并不限于一层，也可以为两层以上。电磁波屏蔽层为两层以上时，其层结构没有特别限制。例如，多个电磁波屏蔽层可以在不隔着其它层的情况下进行层叠，多个电磁波屏蔽层也可以在隔着其它层(例如，胶粘剂层)的情况下进行层叠。电磁波屏蔽层为两层以上时，首先可以通过一个电磁波屏蔽层使电磁波衰减，然后可以通过另一个电磁波屏蔽层使电磁波衰减
实施例
以下，例示本发明的优选实施例进行详细说明，但是，该实施例中记载的材料或配合量等只要没有特别限定的记载，则本发明的主旨并不限于此。另外，下文中，“份”是指重量份。
(实施例1)
<胶粘剂层A的制作>
使下述(a)～(f)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制造，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂1(JER株式会社制造，Epicoat 1004) 242份
(c)环氧树脂2(JER株式会社制造，Epicoat 827) 220份
(d)酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L) 489份
(e)球状二氧化硅(アドマテツクス株式会社制造，SO-25R) 660份
(f)热固化催化剂(四国化成株式会社制造，C11-Z) 3份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上之后，在130℃干燥2分钟。由此，制作厚度60μm的胶粘剂层A。
<胶粘剂层B的制作>
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)丙烯酸酯类聚合物(ナガセケムテツク公司制造，SG-80H)100份
(b)环氧树脂(DIC株式会社制造，HP-7200H) 10份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制造，ミレツクスXLC-4L) 10份
(d)球状二氧化硅(アドマテツクス株式会社制造，SO-25R) 63份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上之后，在130℃干燥2分钟。由此，制作厚度10μm的胶粘剂层B。
<半导体背面用薄膜的制作>
在胶粘剂层A与胶粘剂层B之间，在80℃、粘贴压力0.3MPa、粘贴速度10mm/秒的条件下粘贴厚度20μm的铝箔(东洋铝株式会社制造)，制作厚度90μm的半导体背面用薄膜。另外，铝箔具有作为电磁波屏蔽层的功能。
(实施例2)
<半导体背面用薄膜的制作>
在胶粘剂层A与胶粘剂层B之间，在80℃、粘贴压力0.3MPa、粘贴速度10mm/秒的条件下粘贴厚度38μm的SUS304(不锈钢)箔，制作厚度108μm的半导体背面用薄膜。另外，SUS304箔具有作为电磁波屏蔽层的功能。
(实施例3)
<半导体背面用薄膜的制作>
使用溅射装置(ULVAC公司制造，SH-550)，通过溅射法在胶粘剂层A上形成厚度500nm的铝层。溅射条件如下所述。
(溅射条件)
靶：铝
放电输出功率：DC 600W(输出功率密度3.4W/cm2)
体系内压力：0.56Pa
Ar流量：40sccm
衬底温度：未加热
成膜速度：20nm/分钟
然后，在铝层上，在80℃、粘贴压力0.3MPa、粘贴速度10mm/秒的条件下粘贴胶粘剂层B，制作厚度70.5μm的半导体背面用薄膜。另外，铝层具有作为电磁波屏蔽层的功能。
(实施例4)
<半导体背面用薄膜的制作>
在胶粘剂层A与胶粘剂层B之间，在80℃、粘贴压力0.3MPa、粘贴速度10mm/秒的条件下粘贴厚度20μm的镍箔，制作厚度90μm的半导体背面用薄膜。另外，镍箔具有作为电磁波屏蔽层的功能。
(实施例5)
<半导体背面用薄膜的制作>
在胶粘剂层A与胶粘剂层B之间，在80℃、粘贴压力0.3MPa、粘贴速度10mm/秒的条件下粘贴厚度12μm的铜箔，制作厚度82μm的半导体背面用薄膜。另外，铜箔具有作为电磁波屏蔽层的功能。
(实施例6)
<半导体背面用薄膜的制作>
准备在两侧具有厚度50μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜、且形成有厚度18μm的finemet层的薄膜(日立金属株式会社制造，FP-FT-5M)(以下，也称为“finemet薄膜”)。另外，finemet层是将以Fe为主成分，并在其中添加有Si(硅)和B(硼)以及微量Cu(铜)和Nb(铌)的组成的高温熔液以约100万℃/秒的冷却速度骤冷固化而得到的无定形(非晶)薄带。
然后，在胶粘剂层A与胶粘剂层B之间，在80℃、粘贴压力0.3MPa、粘贴速度10mm/秒的条件下粘贴所述finemet薄膜，制作厚度188μm的半导体装置用胶粘薄膜。此时，以胶粘剂层A与PET薄膜面对，胶粘剂层B与finemet层面对的方式进行粘贴。另外，finemet层具有作为电磁波屏蔽层的功能。
(比较例1)
除了未使用铝箔以外，与实施例1同样操作，将胶粘剂层A和胶粘剂层B粘贴，制作本比较例的半导体背面用薄膜。
(比较例2)
<半导体背面用薄膜的制作>
准备在厚度38μm的PET薄膜上形成有厚度3μm的铁氧体层的薄膜。比较例2中的铁氧体层，为通过镀铁氧体法制作的由NiZn铁氧体构成的层。
然后，在胶粘剂层A与胶粘剂层B之间，在80℃、粘贴压力0.3MPa、粘贴速度10mm/秒的条件下粘贴所述铁氧体薄膜，制作厚度111μm的半导体背面用薄膜。此时，以胶粘剂层A与PET薄膜面对，胶粘剂层B与铁氧体层面对的方式进行粘贴。
<电磁波衰减量(dB)的测定>
使用磁场探针法进行实施例和比较例的半导体背面用薄膜的电磁波衰减量(dB)测定。具体而言，首先，使用光谱分析仪(Advantest制造，R3172)，向特性阻抗为50Ω的MSL线路中输入频率13MHz～3GHz的数字信号，使用磁场探针(NEC工程公司制造，CP-2S)测定线路上1mm内产生的磁场强度(dB)。然后，将实施例和比较例的半导体背面用薄膜置于MSL线路上，测定磁场强度(dB)。而且，将MSL线路上为无物状态的测定值与在MSL线路上放置有半导体背面用薄膜的状态的测定值进行比较，将其差值作为13MHz～3GHz范围内的电磁波衰减量(dB)。测定结果如表1所示。另外，将表1所示的测定结果作图如图5～图12所示。图5～图10分别为表示实施例1～实施例6的结果的图线，图11、图12分别为表示比较例1、比较例2的测定结果的图线。
表1
机译： 倒装芯片型半导体背面用薄膜，半导体背面的切割带集成薄膜，倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置
机译： 倒装芯片型半导体背面用膜，半导体背面用切割胶带一体型膜，半导体装置的制造方法以及倒装芯片型半导体装置
机译： 倒装芯片型半导体背面用膜，半导体背面用切割胶带一体型膜，半导体装置的制造方法以及倒装芯片型半导体装置
