高速高密度以NAND为基础的双晶体管-NOR闪存的新构成

摘要

一种双晶体管NOR闪存单元具有由以NAND为基础的制程制造的一对称的源极和漏极结构。该闪存单元包括由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存储晶体管和由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存取晶体管，具有被短路的poly1和poly2的poly1 NMOS晶体管，或是单多晶的poly1或poly2 NMOS晶体管。该闪存单元透过使用Fowler-Nordheim信道隧道程序完成编程和抹除。一种以NAND为基础的闪存器件包括平行排列于与字符线垂直的位线和源极线的快闪单元阵列。为闪存器件设计写行译码器和读行译码器，以在页、区块、扇区或芯片中的预先编程验证、抹除验证和编程、读操作中为闪存阵列提供适当电压。