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一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法

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一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法，属于磁性材料与元器件领域。首先外磁场H1作用下沉积铁磁/反铁磁双层膜(钉扎场的方向与外磁场H1方向一致，定义为钉扎场初始方向)；然后在所得铁磁/反铁磁双层膜中以钉扎场初始方向为起点，沿角度θ方向施加大于钉扎场Hex与铁磁层矫顽力之和的外磁场H2，同时沿外磁场H2方向施加一电流密度大于10

著录项

公开/公告号CN102496449A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-13

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201110400671.3
发明设计人唐晓莉;苏桦;张怀武;荆玉兰;钟智勇;
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申请日2011-12-06
分类号H01F41/00;H01F41/14;H01F10/10;
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-12-18 05:25:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-12-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01F41/00 申请公布日:20120613 申请日:20111206

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01F41/00 申请日:20111206

实质审查的生效
2012-06-13

公开

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1. 一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法 [P] . 中国专利： CN102496449A . 2012-06-13
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