公开/公告号CN102446700A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-09
原文格式PDF
申请/专利号CN201010502043.1
申请日2010-09-30
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/265(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构11330 北京市立方律师事务所;
代理人马佑平
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 05:04:15
机译: 一种在硅衬底上的绝缘子区域上制造硅的方法以及在硅衬底上的绝缘子上制造硅的方法
机译: 在硅衬底中形成多孔硅的方法,特别是用于改善感应电路性能的方法
机译: 改善光致抗蚀剂对极紫外线和电子束光刻硅衬底的粘附性的方法