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动态控制微晶层中形成的膜的微结构的方法

摘要

提供了一种用于本征型微晶硅层的方法。在一个实施例中,形成本征型微晶硅层的方法包括动态增加供应到设置在处理室中的基板表面上的气体混合物中的硅烷气体,动态减小施加到供应至处理室的气体混合物中的用于在所述气体混合物中形成等离子体的RF功率,和在基板上形成本征型微晶硅层。

著录项

  • 公开/公告号CN102234838A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料股份有限公司;

    申请/专利号CN201110120248.8

  • 发明设计人 郑义;宣广弛;袁正;布赖恩·赛;

    申请日2011-05-06

  • 分类号C30B28/14;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/505;H01L31/18;H01L31/028;

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 03:34:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B28/14 申请公布日:20111109 申请日:20110506

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-02-29

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B28/14 变更前: 变更后: 申请日:20110506

    著录事项变更

  • 2011-11-09

    公开

    公开

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