采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法

摘要

一种采用离子注入制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；将氧离子注入至单晶硅衬底中，以在单晶硅衬底中形成富氧层，以及覆盖在富氧层表面的器件层；对注入后的单晶硅衬底实施第一次退火；对注入后的单晶硅衬底实施第二次退火，第二次退火气氛中氧浓度大于第一次退火气氛中的氧浓度，以增厚绝缘埋层。本发明的优点在于，采用了两步不同退火工艺的方法，第一次退火过程用于绝缘埋层形成以及器件层再结晶修复晶格损伤，第二次退火过程提高了气氛中的氧气浓度，用于增厚已形成的绝缘埋层，提高埋层质量，采用两次氧气浓度不同的退火工艺能够有效地提升SIMOX材料埋氧层质量。