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一种金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法

摘要

本发明揭示了一种金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法,用氢氟酸水溶液去除硅、锗纳米线或纳米棒表面的一层原位氧化物,形成氢终止的硅、锗纳米线或纳米棒,后与单一金属离子或多种金属离子发生氧化还原反应,在硅、锗纳米线或纳米棒表面形成金属纳米颗粒或合金纳米颗粒均匀包覆的体系,即金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合体系。本发明方法制备的复合纳米体系在高效催化、表面增强拉曼检测等领域中具有很好的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN102051689A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州方昇光电装备技术有限公司;

    申请/专利号CN201010604117.2

  • 发明设计人 孙旭辉;彭明发;李述汤;

    申请日2010-12-24

  • 分类号C30B33/00;C30B29/62;C23C18/31;B22F9/24;B22F1/02;

  • 代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆明耀

  • 地址 215125 江苏省苏州市工业园区星湖街218号A4-102

  • 入库时间 2023-12-18 02:21:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B33/00 申请公布日:20110511 申请日:20101224

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-06-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/00 申请日:20101224

    实质审查的生效

  • 2011-05-11

    公开

    公开

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