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采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法

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摘要

本发明公开了一种采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，包括如下步骤：第一步，接触孔刻蚀；第二步，采用ND3和N2混合气体进行退火；第三步，阻挡金属层和W金属淀积。该方法能大大提高隧穿氧化层和硅衬底界面处的电学特性，进而可以改善SONOS闪存器件的可靠性。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-06-12

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/8247 申请公布日:20110511 申请日:20091105

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8247 申请日:20091105

实质审查的生效
2011-05-11

公开

公开

1. 采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法 [P] . 中国专利： CN102054783A . 2011-05-11
2. SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法 [P] . 中国专利： CN102074471B . 2012.09.05
3. FLASH MEMORY HAVING LOCAL SONOS STRUCTURE USING NOTCHED GATE AND FABRICATING METHOD THEREOF TO LOWER THRESHOLD VOLTAGE AND REDUCE VARIATION OF THRESHOLD VOLTAGE [P] . 韩国专利： KR20040082018A . 2004-09-23

机译：使用缺口门具有局部SONOS结构的闪存，并采用一种制造方法来降低阈值电压并降低阈值电压的变化
4. Multi-level gate SONOS flash memory device with high voltage oxide and method for the fabrication thereof [P] . 美国专利： US7015101B2 . 2006-03-21

机译：具有高电压氧化物的多级栅极SONOS闪存器件及其制造方法
5. METHOD OF FABRICATING A FLASH MEMORY DEVICE HAVING LOCAL SONOS TYPE GATE [P] . 韩国专利： KR20050117443A . 2005-12-14

机译：制造具有本地SONOS型门的闪存器件的方法