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用于高性能VLSI的最优保持管多米诺电路

摘要

本发明涉及一种用于高性能VLSI的最优保持管多米诺电路,即在多米诺电路中,应用最优保持管技术,通过调节保持管的衬底电压和电源电压,实现动态功耗、漏电流、噪声容限、电路延迟和抗工艺浮动系数等多个重要参数的均衡,从而使多米诺电路达到最优化的综合性能。其中保持管的电源电压和衬底电压分别为V

著录项

  • 公开/公告号CN102035530A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201010515484.5

  • 申请日2010-10-15

  • 分类号H03K19/017;H03K19/096;

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人魏聿珠

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-12-18 02:09:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H03K19/017 申请公布日:20110427 申请日:20101015

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/017 申请日:20101015

    实质审查的生效

  • 2011-04-27

    公开

    公开

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